AMD reducirá costes en sus nuevas CPU: deja a TSMC por Samsung para crear el nuevo IOD a 4 nm de las CPU Zen 6

Por Borja Colomer
14/02/2025
Hardware

Con cada nueva generación de procesadores y tarjetas gráficas se nos promete una mejora del rendimiento y eficiencia sobre los chips anteriores. Esto no siempre se ha cumplido, pues ya hemos visto lanzamientos de Intel, AMD y hasta NVIDIA que no aportan apenas mejoras y no vale la pena actualizar si teníamos lo previo. Así ha pasado con Ryzen 9000 (Zen 5), Intel Core 14/Core Ultra 200S y NVIDIA RTX 50. Si bien han decepcionado estos lanzamientos, hay que mirar adelante a un futuro próximo y precisamente hoy toca hablar de AMD y Zen 6, pues sus CPU EPYC acabarán usando chips Samsung a 4 nm para el IOD, en lugar de usar TSMC N4P.

Estamos en un momento extraño del sector del hardware, ya que, por una parte, se han realizado muchos lanzamientos y por otro lado, estos no han llegado a sorprender. En estos últimos meses cuesta encontrar algo que realmente valga la pena. Con decirte que la RTX 5090 es lo que más mejora de rendimiento ha aportado ya te haces una idea, pero como la GPU es tan cara y limitada es como si no existiera.

AMD usará los 4 nm de Samsung Foundry para el IOD de las CPU EPYC Zen 6

AMD avanza a un paso firme y constante en el mundo de los procesadores, enfrentándose a su principal rival Intel y superándolo en varias ocasiones. En cada generación nueva de CPU, ambas compañías luchan por ver cuál ofrece el mejor producto y aunque tanto los Ryzen 9000 como los Intel Core 200S fueron un desastre, podemos decir que AMD ganó ese enfrentamiento. Con procesadores como el Ryzen 7 9800X3D demostró que no tiene nada que temer e Intel no puede ni siquiera acercarse al rendimiento de sus CPU 3D V-Cache. No solo eso, sino que en procesadores de alto rendimiento como los Ryzen Threadripper y los EPYC para servidores, ha logrado destrozar a los Xeon de Intel en rendimiento y precio.

Hablando de CPU EPYC, se espera que la próxima generación de estas hagan uso de los 3 nm de TSMC para el propio chip. Sin embargo, resulta que en E/S (IOD) ha decidido no depender de TSMC y aquí es donde ha optado por usar Samsung y su proceso de 4 nm. Si bien al inicio se creía que el complejo IOD se crearía con el nodo N4P de TSMC, al final será el nodo 4LPP de Samsung.

Si hubiese usado TSMC N4P tendría un 5% mayor densidad de transistores

Nodos specs

Como podemos ver, la densidad de los transistores del nodo 4LPP de Samsung no está del todo mal con 137 millones de transistores por mm2. Esto lo deja al nivel de TSMC N5 mientras que N4P le saca alrededor de un 5% de ventaja en cuanto a densidad. También vemos que Samsung no está al mismo nivel en cuanto a Tr Gate Pitch e Interconnect Pitch, pues aquí los nanómetros son prácticamente iguales a TSMC N6, mientras que el resto de nodos de TSMC o incluso Intel 4 usan menos nanómetros.

Con este nuevo nodo de Samsung, AMD podrá hacer el IOD más eficiente energéticamente respecto a la pasada generación y al usar un nuevo nodo, también se espera que haya actualizaciones y mejoras en cuanto a controladores, memoria RAM soportada, tipos de RAM (CUDIMM, RDIMM RCD) y otros cambios.