China lleva un ritmo de crucero con CXMT, su compañía más avanzada en lo que se refiere a memoria DRAM general, tanto es así, que ya compite en DDR5. Como hablamos hace semanas, están tirando abajo el precio de esta memoria amparados en la producción en masa de sus chips de 16 nm, los cuales han estado subvencionados indirectamente por el gobierno de Xi Jinping en un intento de dumping encubierto del cual EE.UU. ya se ha quejado. Lo mejor es que esto está lejos de terminar, porque China prepara su DRAM de 16 nm con HKMG de primera generación para antes de mitad de este mismo año.
Un nuevo roadmap que proviene de Samsung Securities estima lo que debería ser este año 2025 en cuanto a DRAM, con los tres principales actores de la industria, dos coreanos y un americano, ya listos con sus nodos 1c basado en la tecnología HKMG. Pero lo que ninguno de ellos pensaba es que se iba a auto invitar a la fiesta su gran rival tras solo 6 meses de competencia.
Y es un vuelco total a la situación, puesto que tanto Samsung como SK Hynix y Micron pensaban que tendrían de nuevo ventaja al lanzar al mercado sus nuevos chips de memoria DRAM con los procesos litográficos 1c, y resulta que China también estará ahí, con sus 16 nm, y además y por si fuese poco, con tecnología HKMG.
Esta tecnología HKMG, o High-K Metal Gate, es un avance más que significativo que los tres grandes impulsaron con sus nuevos nodos 1a, 1b y 1c, donde consiguieron mejorar la eficiencia de los chips y la densidad de las celdas
. La tecnología es tan relevante que se aplica tanto a DDR, como a HBM y NAND Flash, por lo que hablamos de un impacto total en el mercado.Con esta explicación breve y pretexto, podemos entender el roadmap de Samsung y el motivo del sudor en la frente de estos tres gigantes de la memoria nada más entrar el año 2025 en juego.
Y es que, para sintetizar un poco los números, la realidad es que los procesos 1c de Samsung, SK Hynix y Micron equivalen en mayor o menor medida a 10 nm o 9 nm, según el avance de unos y otros. Las métricas no son exactas aquí, pero sí que sabemos que suponen dos pasos adelante frente a 1a (introducción del HKMG con 12 nm y 11 nm aproximadamente) y 1b (HKMG de segunda generación y en 11 a 10 nm).
Aquí hablamos del HKMG más avanzado, en concreto, dos pasos por delante de China con sus DRAM a 16 nm, pero supone que si ya eran buenos sin él, ahora con esta tecnología los asiáticos podrán mejorar en velocidad y latencias apretando el voltaje y consumo para intentar paliar el déficit de rendimiento que tienen, siendo un problema para Samsung, SK Hynix y Micron a final de año.
Visto el panorama y cómo aprieta China, donde en 6 meses está haciendo sudar a toda la industria más TOP mundial, hay que decir que las sanciones de EE.UU. y Europa, así como Japón y Corea del Sur, van a frenar el avance antes de terminar la década, puesto que China no puede fabricar en volumen chips por debajo de los 7 nm debido a los escáneres DUV.
De hecho, se estima que podrá seguir avanzando en el volumen actual hasta los 12 nm, metiendo los 14 nm entre medias, pero a partir de ahí, como ya le pasó a Intel con los 10 nm, los problemas se multiplican y escalan, haciendo, en principio, imposible mantener el volumen de producción y los costes ínfimos, por debajo del precio objetivo que fijan sus rivales directos.
El problema más obvio es que China de dos pasos adelante en poco más de un año y esté a tiro de piedra de los tres gigantes antes de que llegue al muro que fijaron todos sus rivales, y para colmo, no tengan listo ningún tipo de escáner EUV propio. Solo eso puede frenarles, pero si no consiguen crear dicha tecnología, si la patente que vimos va hacia delante, entonces occidente y sus socios pueden empezar a pensar en cómo van a competir con el país de Xi Jinping.
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