SK Hynix adelanta a Samsung con sus NAND Flash TLC de 321 capas: un 13% más rápidas y un 10% más eficientes para crear unos SSD de más de 100 TB
Samsung es una de las compañías más relevantes del sector tecnológico y está involucrada en TV, smartphones, memoria y hasta procesadores. Hay que tener en cuenta que Samsung Foundry es una parte de la compañía y los procesadores Exynos para móviles son desarrollados por esta. Lo mismo podemos decir del sector de la memoria, donde Samsung sigue en cabeza y mantiene su posición como líder. A pesar de esto, SK Hynix sigue esta primera posición de cerca y recientemente ha lanzado una memoria NAND Flash de 321 capas, superando a Samsung en este aspecto.
La industria de la memoria es muy importante debido a que se utiliza en todo tipo de dispositivos. Tanto los PC como portátiles, consolas y móviles requieren de memoria RAM y los discos SSD utilizan memoria NAND Flash. Es gracias a los avances de esta última que hemos visto SSD con mayor capacidad, menor precio y más rápidos.
SK Hynix ha desarrollado memoria NAND Flash de 321 capas para poder usarla en SSD de más de 100 TB
Samsung y SK Hynix ocupan el primer y segundo puesto de cuota de mercado en el mundo de la memoria, aunque China está avanzando a un ritmo sorprendente. Hace poco vimos las memorias RAM DDR5 del gigante asiático creadas por CXMT, la cual empezó con solo un 3% de cuota de mercado en 2022 y ahora ya tiene el 12%. Se espera que logre superar el 15% para finales de 2025, reduciendo el precio de las memorias RAM DDR5 a nivel global y poniéndoselo más difícil a Samsung y SK Hynix.
Por otro lado, China sigue intentando competir con la memoria NAND Flash para SSD, aunque en este aspecto va varios pasos por detrás de las otras empresas. Aunque Samsung parecía imbatible en el sector de la memoria, ahora resulta que SK Hynix ha logrado adelantar a la compañía de Corea del Sur tras convertirse en la primera empresa en producir NAND Flash TLC (triple celda) con 321 capas.
Samsung tiene pensado desarrollar memoria de 400 capas para 2026
Este es un avance significativo respecto a la memoria NAND Flash de 238 capas que lanzó hace menos de un año, momento en el que adelantaron también a Samsung. Visto de esta forma, SK Hynix está a la vanguardia de la tecnología en este aspecto y de hecho en la actualidad posee cerca de un 35% de cuota de mercado mientras que Samsung mantiene algo más del 40%. Para poder lograr esta memoria de 321 capas se ha empleado tecnología Three Plugs que permite conectar tres canales verticales de memoria usando un enlace eléctrico optimizado. SK Hynix tuvo que superar los problemas con materiales de baja tensión y corrección automática de la alineación.
Con esta nueva tecnología tenemos un incremento de la eficiencia de la producción del 59% comparado a la generación anterior. Esta nueva tecnología de 321 capas ofrece un 12% más de velocidad de transferencia de datos, un 13% más de velocidad de lectura y un 10% más de eficiencia comparado a las 238 capas. Sería posible así poder desarrollar SSD más baratos que tengan una capacidad mayor de 100 TB. Se espera que los primeros SSD con 321 capas se lancen en la primera mitad de 2025. Samsung por su parte espera poder desarrollar una memoria NAND de 400 capas para 2026 y memoria NAND vertical enlazada para 2030, momento en el que veríamos más de 1.000 capas y SSD de más de 200 TB.