IFS (Intel Foundry Services) revela los avances tecnológicos para el evento IEDM 2024

Intel ha sido conocida durante muchos años por ser la principal compañía de procesadores, debido a que sus CPU eran las top ventas tanto en PC como en servidores. Los típicos ordenadores de oficina eran todos Intel, los ordenadores de casa y para jugar solían usar estos procesadores también y lo mismo con los portátiles. A pesar del dominio que tienen en el mercado, Intel no se encuentra en una buena situación en la actualidad. Hemos visto problemas con sus procesadores y también grandes pérdidas en varias divisiones de la compañía. IFS ha sido la que registró pérdidas récord en 2023 pero Intel no se rinde y ahora se han mencionado los nuevos avances tecnológicos del evento IEDM 2024.

Mientras que TSMC va consiguiendo cada vez más popularidad y tiene un mayor número de clientes y pedidos, Samsung e Intel se quedan con las migajas. Lo cierto es que a pesar de tener dos rivales que son grandes compañías, TSMC no ha visto una gran competencia por parte de estas. En cuanto a nodos de fabricación, la empresa taiwanesa sigue siendo la más avanzada con diferencia y debido a esto, la mayoría de clientes confían en esta y no buscan otras alternativas.

Intel Foundry Services (IFS) muestra sus avances con rutenio sustractivo, SLT, RibbonFET y FETs 2D GAA

Intel Foundry Services, simplificado como IFS, es la división de la compañía que se encarga de diseñar y fabricar chips para clientes. Desde hace ya tiempo esta ha sido la división que más pérdidas le ha dado a Intel, pero a su vez es fundamental mantenerla activa para poder ser competencia de Samsung y TSMC. Intel ha presentado los avances tecnológicos realizados en IFS durante el IEDM 2024 (International Electron Devices Meeting) como la mejora de las interconexiones logrando una capacitancia de hasta el 25% con rutenio sustractivo (Ru). Este es un nuevo material de metalización alternativo que mejora el escalado de interconexión, reduciendo la capacitancia en un 25% a 25 nm e inferior.

También consiguieron una gran mejora de 100 veces el rendimiento a la hora de ensamblar chips utilizando una solución de integración heterogénea para un empaquetado avanzado. Esta solución ha sido denominada como transferencia selectiva de capas (SLT), la cual permite tamaños de chips más pequeños y relaciones de aspecto más elevadas que el método tradicional de unir chips a las obleas. IFS utilizó CMOS RibbonFET de silicio y un módulo óxido gate (GOx) para FET 2D GAA escalados.

Intel menciona el apoyo de la Ley Chips de EE.UU. y el objetivo de lograr crear un chip con un billón de transistores para 2030

Intel aprovecha para mencionar que con la ayuda de la Ley CHIPS de EE.UU. podrán restablecer el liderazgo tecnológico y equilibrar la cadena de suministro mundial. Como podrás imaginar, la industria de los semiconductores necesita aumentar la productividad de chips de manera urgente. Con la popularidad de la IA sumado a que casi todos los dispositivos que hay necesitan chips, podemos entender que es prioritario mejorar la producción. Por otro lado, la industria también tiene un objetivo que quiere cumplir para 2030, crear un chip con un billón de transistores.

Intel continua con sus avances mencionando como han conseguido crear la primera tecnología GaN (nitruro de galio) de 300 nm. Esta permitirá obtener un mayor rendimiento y soportar tanto temperaturas como voltaje más alto que el propio silicio. Bajo esta tecnología tenemos los primeros MOSHEMT (transistores semiconductores de óxido metálico de alta movilidad electrónica) que hacen uso de los 300 nm GaN con TRSOI.