China asusta con su memoria DDR5: tasa de éxito del 80% y rendimiento ligeramente por detrás de las Hynix A-Die

Cuando empezó el interés por la inteligencia artificial, Estados Unidos decidió acabar con China, el país al que más temía de que pudiera llegar a dominar el sector. Para ello, se encargó de implementar una serie de restricciones y sanciones destinadas al gigante asiático para asegurarse de que no pudiera comprar chips avanzados para IA ni maquinaria necesaria para crearlos. Esto dejó a China totalmente fuera de juego, pero en lugar de rendirse, optó por realizar una gran inversión para poder fabricar chips a nivel nacional. Así es como surgieron procesadores, tarjetas gráficas y hasta RAM DDR5 "Made in China", sobre la cual hablaremos ahora, dado que se ha revelado su elevada tasa de éxito y rendimiento casi igual al de las Hynix A-Die.

Cuando China tomó la decisión de crear sus propios chips a pesar de las grandes limitaciones que tenían, es cuando vimos su potencial. Es cierto que en términos de maquinaria y procesos de fabricación aún están por detrás del resto de compañías estadounidenses, pero solo hay unos años de diferencia en algunos casos. Por ejemplo, vimos la hazaña de China creando chips usando tecnología de 7 nanómetros y precisamente los Ryzen 5000 de hace unos años empleaban 7 nm también. En términos de arquitectura, rendimiento y eficiencia están bastante más por detrás en CPU y GPU, pero la base ya la tienen.

China consigue una tasa de éxito del 80% con sus memorias DDR5

Lo que no esperábamos es que China también se animara a producir su propia RAM, compitiendo así contra empresas que dominan el sector como Samsung y SK Hynix. CXMT comenzó a producir en masa su memoria DDR5 con el objetivo de poder igualar o incluso superar a la competencia surcoreana. En la actualidad, Samsung posee el 41,1% del mercado de la memoria DRAM y SK Hynix la sigue con un 34,4%, pero CXMT ha empezado a tener mayor presencia, pues aunque en 2022 solo suponía el 3% del mercado, actualmente tiene el 12%.

China tiene a CXMT preparando su arma secreta, una nueva tecnología de fabricación denominada G3 a 17,5 nm, la cual tiene un rendimiento (tasa de éxito) del 80%. Si bien Samsung Electronics sigue siendo la líder con sus 12 nm, lo cierto es que están acercándose cada vez más al gigante coreano.

Las RAM DDR5 de CXMT logra una latencia de 70 ns a 6.000 MHz

Además de hacer mención de las nuevas memorias DDR5 de CXMT, también se han mostrado pruebas de rendimiento. Tenemos dos pruebas de memoria, por lo que empezamos con la primera con XMP desactivado, 4.000 MHz C34-33-33-63. Con esta se consiguen unos 60.000 MB/s de lectura y escritura, 58.350 MB/s se copia y una latencia de 97 ns, siendo esta muy elevada. En cuanto a la segunda prueba de memoria, han activado XMP para así alcanzar una frecuencia de 6.000 MHz C36-38-38-86, lo que les proporciona 88.690 MB/s de lectura, 83.946 MB/s de escritura, 82.341 MB/s de copia y 70,4 ns de latencia.

Estos resultados son mucho mejores y tal y como muestra Jukanlosreve en X, están cerca de igualar lo que es capaz de hacer SK Hynix con sus memorias DDR5 A-Die de alta frecuencia. Estas consiguen entre 90.000 y 100.000 MB/s de lectura, 85.000 a 95.000 MB/s de escritura, 80.000-90.000 MB/s de copia y una latencia entre 65 y 70 ns.