Samsung creará los SSD con más GB, más rápidos y eficientes de la historia con sus V-NAND V9 QLC: +86% en densidad, +100% en escritura y un 50% menos de consumo
Los SSD llevan un tiempo estancados, y no precisamente porque no veamos muestras de mayor velocidad y eficiencia, sino porque la capacidad no está aumentando a un buen ritmo, y mucho menos a un buen precio. Pero Samsung va a cambiar esto como líder mundial en NAND Flash, ya que han presentado oficialmente sus V-NAND V9 QLC, las cuales van a cambiar las reglas del juego en la industria de los SSD y otros dispositivos tecnológicos.
Es una revolución, sin paliativos, sin ser pedantes, Samsung puede decir a gritos que lo ha conseguido, y todo en base a unas celdas de nueva generación que van a suponer un salto muy grande en tantos sectores que es difícil cuantificarlos realmente. ¿La mayor ventaja? La gran diferencia en densidad que han conseguido, el principal talón de Aquiles de la industria y cuello de botella.
Samsung marca distancias con sus rivales de la industria y con los HDD presentando sus V-NAND V9 QLC, además, en producción en masa
La compañía avisó en varias ocasiones de que estaban trabajando en unas memorias QLC de nueva generación que iban a impactar en la industria de manera abrupta, y vaya si lo han conseguido. La amenaza se ha convertido en realidad y podemos decir sin lugar a dudas que actualmente Samsung tiene las memorias NAND Flash con mayor densidad por bits del planeta.
De hecho, supera ampliamente a Intel con sus PLC de 192 capas (23,3 GB/mm2), y a su gran rival nacional SK Hynix con las V9 de 321 capas en su versión V2 (TLC y 20 GB/mm2). Todas las nombradas superan el corte mínimo sin problemas, mientras que Micron está todavía con sus QLC de 232 capas en 19,1 GB/mm2, siendo incluso superados por los chinos de YMTC con sus QLC también de 232 capas, pero con una densidad algo superior de 19,8 GB/mm2.
Vista la comparativa en este apartado tan importante y que decide la cantidad de gigabytes que van a implementar cada chip de un SSD para hacer su capacidad total final, ¿qué puede ofrecer Samsung de más con estas V-NAND V9 QLC frente a la competencia? Pues 4 tecnologías clave:
Tecnología Channel Hole Etching, Designed Mold, Predictive Program y Low-Power Design, de las cuales vamos a ver sus novedades.
Más velocidad, menos consumo
A falta de saber los precios, todo es color de rosa por parte de los coreanos. Teniendo en cuenta que la compañía ya deslizó su llegada hace nada menos que dos años, los resultados finales mostrados son mejores de los que se dijeron en aquel momento. Frente a su predecesora V9 TLC, Samsung ha logrado un salto de densidad increíble del +68%, y frente a las V8 TLC con 238 capas la cifra se va al +148% según los datos que se dieron en su momento para ambas versiones anteriores.
El problema que ha existido hasta ahora con la tecnología QLC para NAND Flash es el mayor consumo de energía y la menor velocidad, algo en lo que también ha trabajado Samsung con estas V-NAND V9 QLC, como así lo indican en su comunicado:
La V-NAND QLC de novena generación de Samsung ha duplicado el rendimiento de escritura y mejorado la velocidad de entrada/salida de datos en un 60% gracias a los avances en la tecnología Predictive Program.
El consumo de energía de lectura y escritura de datos disminuyó aproximadamente un 30% y un 50% respectivamente, con el uso de la tecnología Low-Power Design. Este método reduce el voltaje que impulsa las celdas NAND y minimiza el consumo de energía al detectar solo las líneas de bits (BL) necesarias.
Por desgracia, no hay fecha de llegada al mercado ni productos anunciados con estas V-NAND, pero estando en producción en masa posiblemente veamos los primeros prototipos en el CES 2025, llegando poco después al mercado. Por fin un salto adelante interesante, en masa y esperemos que a buen precio dentro de los SSD.