Quinas y el IQE reciben 1,1 millones de libras para producir ULTRARAM, que combina la no volatilidad de la memoria Flash con la velocidad de la DRAM
Hemos estado viendo grandes progresos en el mundo de la informática con componentes como procesadores, tarjetas gráficas, RAM o sistemas de almacenamiento, donde hemos mejorado en gran medida la velocidad y eficiencia. La tecnología va a ir avanzando sin parar, pero en ocasiones tenemos que buscar alternativas y dejar de recorrer el camino actual, ya que estamos llegando a un límite. En un intento de innovación, nos encontramos un nuevo tipo de memoria llamada ULTRARAM, un proyecto que llevará a cabo la compañía Quinas.
Según van pasando los años recibimos CPU con más núcleos y frecuencias más elevadas y GPU que cada vez tienen más utilidad a la hora de realizar todo tipo de tareas. No solo las gráficas protagonizaron el auge de la criptominería llegan a subir la demanda tanto que era casi imposible hacerse con una de estas sin sobreprecio, sino que en la actualidad con la IA, GPU como las NVIDIA H100 o las AMD MI300X están siendo top ventas. Por otro lado, la memoria RAM ha ido evolucionando hasta el actual estándar DDR5 que no para de subir la velocidad con el tiempo.
Quinas, el IQE y las Universidades de Lancaster y Cardiff presentan la memoria ULTRARAM
La memoria RAM nos ha acompañado desde hace décadas como la memoria principal de nuestro PC en cuanto a velocidad, pues ni el mejor SSD PCIe 5.0 puede acercarse a esta. Aunque la memoria DRAM es muy rápida, tiene una gran desventaja que la hace inviable como sistema de almacenamiento y esto es el hecho de que es volátil. En cambio, la memoria Flash como la de los SSD no posee esta volatilidad y por tanto se puede emplear para poder almacenar datos a largo plazo. Combinar tanto la DRAM con la memoria NAND Flash es algo que se ha empezado a ver hace poco y de hecho, a finales de abril de 2024, unos investigadores de Corea del Sur lograron este tipo de memoria.
Esta se denominó memoria de cambio de fase (PCM), la cual no pierde los datos al no ser volátil y a su vez consigue la velocidad de la DRAM. Todo esto a la vez que se mejora la eficiencia energética e incluso se hace más barata usando nanofilamentos. Pues bien, esta memoria volvemos a verla ahora pero fuera del ámbito científico, pues en este caso Quinas, IQE y las Universidades de Lancaster y Cardiff han recibido 1,1 millones de libras para un proyecto de Innovate UK. Este proyecto liderado por Quinas tiene como primer objetivo producir una memoria universal para ordenadores denominada ULTRARAM, la cual combina Flash + DRAM.
La primera fase será crear obleas de hasta 6 pulgadas y cuando logren subir a 8 pulgadas, empezará la producción a nivel industrial
La mayor parte de la financiación del proyecto se destinará a la compañía mundial de semiconductores IQE, la cual se encargará de ampliar la fabricación de capas superconductoras compuestas de la Universidad de Lancaster usando el proceso industrial de Cardiff. Se busca producir compuestos de antimoniuro de galio y antimoniuro de aluminio. Con este primer paso realizado, la industria británica estaría preparada para poder crear este nuevo tipo de memoria que no hemos visto comercializado.
ULTRARAM representa no solo la oportunidad de Reino Unido de destacar, sino también una alternativa para los centros de datos de usar RAM más eficiente, rápida y que permita reducir las emisiones de carbono. Se espera que en un año se pueda aumentar el diámetro de las obleas de 3 a 6 pulgadas. Para ello se empleará la técnica MOVPE junto a la deposición química MOCVD. Si se consigue aumentar el tamaño de las obleas de memoria, el siguiente paso será crear una oblea completa de 8 pulgadas y pasar a la industrialización.