Samsung revela su roadmap de memoria: 3D DRAM para 2030 con 16 capas, el doble que la memoria HBM3E

A la hora de desarrollar memoria, tenemos un límite de espacio disponible sea en memoria RAM, memoria NAND para SSD y otros tipos. Al final estamos limitados por el formato que se utiliza y las dimensiones del chip donde va a ir integrada. Para poder solventar esta limitación se ha reducido el tamaño de esta y aumentado la densidad a base de utilizar varias capas apiladas de forma vertical. Esto lo hemos visto en la memoria 3D NAND, pero ahora estamos hablando de la memoria 3D DRAM, pues Samsung tiene planeado crear una de estas con 16 capas para 2030, el doble de lo que Micron está desarrollando actualmente.

Según avanzan los años y la tecnología progresa, vemos como obtenemos chips más rápidos, una experiencia más fluida en nuestros móviles, PC y consolas y como no, mayores requisitos en aplicaciones y juegos. Si a esto le sumamos el hecho de que estamos en plena era de la IA, se requiere aumentar la capacidad de la memoria, almacenamiento y rendimiento que pueden ofrecer los equipos para poder hacer uso de esta. Es por ello que hemos empezado a ver el añadido de NPU en procesadores y APU de PC, al igual que discos duros y SSD de mayor capacidad para ordenadores y centros de datos.

Samsung presenta su hoja de ruta donde muestra su plan para crear memoria 3D DRAM para 2030

Para poder seguir avanzando también se requerirá de una memoria más rápida y de mayor capacidad. Es por ello, que los avances realizados en memoria 3D NAND y 3D DRAM son realmente importante para conseguir un mayor tamaño en cada chip. Fue hace un par de semanas cuando estuvimos hablando de la memoria 3D X-DRAM, la cual prometía aumentar la densidad en 8 veces frente a la memoria 2D. Esta idea la inició NEO Semiconductor hace aproximadamente un año, pero también tenemos otras empresas de memorias interesadas en hacer lo mismo.

Samsung es una de ellas, pues durante la MemCon 2024 ha presentado su memoria 3D DRAM, la cual tomará un largo camino en producirse. En su hoja de ruta podemos ver que dentro de unos años desarrollarán la memoria con VCT (transistor de canal vertical), para luego producir la DRAM apilada con capacitadores.

Samsung seguirá compitiendo contra Micron y SK Hynix en el sector de las memorias 3D de varias capas

Una vez hechos estos pasos, el objetivo de Samsung es poder ofrecer memoria 3D DRAM de 16 capas para el año 2030, momento en que lanzarán esta memoria por primera vez. Si se apilan tantas capas de memoria con un gran ancho de banda, conseguiremos una gran capacidad de almacenamiento junto con un enorme rendimiento. No sabemos realmente si será capaz de conseguir las 16 capas, pues aún faltan 6 años para cumplir su objetivo. Mientras tanto, Micron está desarrollando y haciendo pruebas con su propia memoria 3D con 8 capas, la cual aún no ha llegado a comercializarse.

Los esfuerzos de Micron están siendo destinados a la memoria HBM3E de 8 capas que dará vida a GPU como las próximas NVIDIA Blackwell para IA, al igual que modelos posteriores que llegarán después. Hace un mes se mencionaron nuevos detalles sobre la memoria HBM4 de nueva generación, la cual Micron quiere poner en marcha para que la producción en masa sea para 2026.