Samsung fabrica la primera memoria V-NAND de 9ª generación con 290 capas: +50% en densidad, +33% de velocidad, 10% menos de consumo

Desde que los SSD llegaron al mercado de consumo hace alrededor de una década, los usuarios y jugadores de PC han optado por comprar estos siempre que fuera posible. Al principio resultaban muy caros, pero con el tiempo hemos visto como su precio se ha reducido considerablemente hasta el punto en que deben ser la prioridad de cualquiera. El desarrollo de SSD de mayor capacidad y velocidad depende de fabricantes de memoria como Samsung y precisamente esta tiene una buena noticia. Samsung Electronics ha anunciado la creación de su primera memoria V-NAND 9 Gen, la cual consigue aumentar la densidad de bits en un 50% y la velocidad en un 33%.

Samsung es una compañía surcoreana conocida en muchos sectores del mundo tecnológico. Esta destaca en dispositivos como sus smartphones con los Samsung Galaxy, sus TV con tecnología QLED (Quantum Dot Light Emitting Diode) y mucho más. De hecho, no solo se dedica a crear productos de este tipo, sino que además se dedica a la fabricación de componentes de hardware como memorias y SoC Exynos para móviles. Se trata de una compañía muy polivalente dedicada a muchos sectores y en algunos de ellos lidera.

Samsung anuncia la producción en masa de la memoria de la primera memoria V-NAND 9 Gen para SSD

Es en el sector de la memoria donde Samsung destaca por encima de otras compañías y lo ha hecho durante un tiempo. Ya en 2017, la compañía puso en funcionamiento su nueva fábrica de 13.000 millones de dólares ubicada en Pyeongtaek para poder fabricar memoria V-NAND. Aquí se empezaron a producir las primeras memorias de 64 capas y 64 GB V-NAND que acabarían destinadas a varios productos del mercado. Apenas un año después, ya vimos los avances con un SSD Samsung NG1 con 8 TB de capacidad gracias a memoria V-NAND de 512 GB. Hablando de todo esto, hace poco estuvimos viendo como la Nintendo Switch 2 iba a utilizar memoria V-NAND de 5ª generación de Samsung.

Ahora Samsung ha revelado que la primera V-NAND de 9ª generación ya está lista para su producción en masa y se destinará a SSD de alto rendimiento y para satisfacer las necesidades de la IA. Esta memoria de nueva generación tiene 290 capas en lugar de las 236 capas de la 8ª gen. Además, se ha aumentado la densidad de bits en aproximadamente un 50% utilizando como referencia la memoria 9ª Gen V-NAND TLC de 1 TB.

La nueva generación de V-NAND es un 33% más rápida y alcanza hasta 3,2 Gbps

Esta 9ª generación de memoria V-NAND de Samsung está equipada con la interfaz NAND Flash de próxima generación denominada "Toggle 5.1". Esta permite una velocidad de entrada y salida de datos de 3,2 Gbps, lo que implica una mejora del 33% respecto a la generación previa. Samsung espera poder aprovechar esta memoria Flash para dar vida a los SSD PCIe 5.0. Otra de las mejoras que se ha revelado de esta nueva memoria es que se ha reducido el consumo en un 10% respecto a la octava generación.

Como podemos ver, esta nueva memoria supera en todo a las demás que ha creado Samsung Electronics y ya han puesto en marcha la producción en masa de TLC de 1 TB para este mes. Se espera que la memoria 9ª gen QLC entre en producción en masa a partir de la segunda mitad de este año.