Intel y UMC anuncian una colaboración para fabricar chips a 12 nm FinFET en EE.UU
Intel Corp. anunció una colaboración de fundición con United Microelectronics Corporation (UMC) para la fabricación de obleas a un proceso de fabricación de 12 nm. En concreto, ambas compañías colaborarán en el desarrollo de una plataforma a 12 nm "para abordar mercados de alto crecimiento como los móviles". Adicionalmente, estos chips a 12 nm se emplearán en la infraestructura de comunicaciones y las redes.
De este acuerdo, la fundición taiwanesa UMC se aprovechará de la capacidad de fabricación a escala de Intel en suelo estadounidense. Por su parte, UMC aportará su amplia experiencia de fundición en procesos de fabricación maduros para permitir una cartera de procesos ampliada. También ofrece a los clientes globales más opciones en sus decisiones de abastecimiento con acceso a una cadena de suministro más diversificada geográficamente y resiliente.
Intel lleva más de 55 años invirtiendo e innovando en EE.UU. y en todo el mundo, con plantas de fabricación e inversiones establecidas o previstas en Oregón, Arizona, Nuevo México y Ohio, además de Irlanda, Alemania, Polonia, Israel y Malasia. IFS ha realizado importantes progresos durante el pasado año, logrando un fuerte impulso con nuevos clientes, incluidos nuevos clientes de las tecnologías de proceso Intel 16, Intel 3 e Intel 18A, y ampliando su creciente ecosistema de fundición. IFS espera seguir progresando este año.
En esencia, Intel fabricará en Estados Unidos chips a 12 nm diseñados por UMC
Para ser exactos, Intel ofrecerá una capacidad de fabricación de gran volumen empleando un nodo a 12 nm con un diseño de transistores FinFET. Este proceso litográfico promete combinar una sólida madurez, rendimiento y eficiencia energética. UMC proporcionará el kit de diseño de procesos (PDK) y asistencia en el diseño para la prestación eficaz de servicios de fundición.
El nuevo nodo se desarrollará y fabricará en las fábricas Fab 12, 22 y 32 del centro Ocotillo Technology Fabrication de Intel en Arizona. El aprovechamiento de los equipos existentes en estas fábricas reducirá significativamente los requisitos de inversión inicial y optimizará la utilización. Las dos empresas trabajarán para satisfacer la demanda de los clientes y cooperarán en la habilitación del diseño para apoyar el proceso de 12 nm. Eso sí, esta producción aún está muy lejos en materializarle. Las primeras obleas a 12 nm de esta colaboración no llegarán hasta algún momento del año 2027.
"Taiwán ha sido una parte crítica del ecosistema asiático y mundial de semiconductores y tecnología más amplia durante décadas, e Intel se compromete a colaborar con empresas innovadoras en Taiwán, como UMC, para ayudar a servir mejor a los clientes globales", dijo Stuart Pann, vicepresidente senior de Intel y director general de Intel Foundry Services (IFS).
"La colaboración estratégica de Intel con UMC demuestra aún más nuestro compromiso de ofrecer innovación tecnológica y de fabricación en toda la cadena de suministro global de semiconductores y es otro paso importante hacia nuestro objetivo de convertirnos en la segunda fundición más grande del mundo en 2030."
"Nuestra colaboración con Intel en un proceso de 12 nm fabricado en EE.UU. con capacidades FinFET es un paso adelante en nuestra estrategia de expansión rentable de la capacidad y avance en el nodo tecnológico para mantener nuestro compromiso con los clientes". Dijo Jason Wang, copresidente de UMC.
"Este esfuerzo permitirá a nuestros clientes migrar sin problemas a este nuevo nodo crítico y beneficiarse también de la resistencia de una huella occidental añadida. Estamos entusiasmados con esta colaboración estratégica con Intel, que amplía nuestro mercado de destino y acelera significativamente nuestra hoja de ruta de desarrollo aprovechando las fortalezas complementarias de ambas compañías."