Así es el transistor CMOS de Intel con un apilado en 3D: más potencia en sus futuros chips
Intel anunció un nuevo avance en la industria, un nuevo transistor CMOS con un diseño de apilamiento en 3D, a lo que se le suma un sistema de alimentación alimentación trasera y contacto directo en la parte trasera. Si bien todo esto suena muy poco específico, la traducción rápida y sencilla es ofrecer un mayor rendimiento y escalado para una futura generación de chips. Como era de esperar, todo ello irá unido a importantes mejoras ligadas con la eficiencia energética.
En concreto, fue en la IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), donde Intel presentó estos transistores CMOS apilados en 3D. Estos prometen avances pioneros que ampliarán la Ley de Moore. Esta tecnología se complementará con otras ya utilizadas para hacer que Intel vuelva a recobrar su época dorada en un futuro cercano.
Veamos un poco más de cerca lo que implica que Intel use transistores CMOS apilados en 3D
En concreto, los avances en transistores CMOS por parte de Intel, se traduce en el desarrollo de tecnologías punteras ligadas con un mayor escalado. Esto repercute en un mejor rendimiento, a lo que se le suma el uso de energía de una forma más eficiente. Intel indica que todo ello se aprovechará en la próxima generación de equipos portátiles.
Intel ha desvelado hoy avances técnicos que mantienen una rica línea de innovaciones para la futura hoja de ruta de procesos de la compañía, subrayando la continuación y evolución de la Ley de Moore. Los investigadores de Intel presentaron los avances en transistores CMOS (semiconductores complementarios de óxido metálico) apilados en 3D combinados con alimentación trasera y contactos traseros directos. La empresa también informó sobre las vías de escalado de los recientes avances en I+D para el suministro de potencia en la cara posterior, como los contactos en la cara posterior, y fue la primera en demostrar con éxito la integración monolítica 3D a gran escala de transistores de silicio con transistores de nitruro de galio (GaN) en la misma oblea de 300 milímetros, en lugar de en paquetes.
"A medida que nos adentramos en la Era Angstrom y miramos más allá de los cinco nodos en cuatro años, la innovación continua es más crítica que nunca. En IEDM 2023, Intel muestra su progreso con los avances en investigación que alimentan la Ley de Moore, subrayando nuestra capacidad para aportar tecnologías punteras que permitan un mayor escalado y un suministro de energía eficiente para la próxima generación de informática móvil". Dijo Sanjay Natarajan, vicepresidente sénior y director general de Investigación de Componentes de Intel
Resto de la información que conocemos en torno a estos transistores
Por qué es importante: El escalado de transistores y la potencia trasera son fundamentales para ayudar a satisfacer la demanda exponencialmente creciente de una informática más potente. Año tras año, Intel satisface esta demanda informática, demostrando que sus innovaciones seguirán impulsando la industria de los semiconductores y continuarán siendo la piedra angular de la Ley de Moore. El grupo de Investigación de Componentes de Intel supera constantemente los límites de la ingeniería apilando transistores, llevando la potencia trasera al siguiente nivel para permitir un mayor escalado de los transistores y un mejor rendimiento, así como demostrando que los transistores fabricados con distintos materiales pueden integrarse en la misma oblea.
Los recientes anuncios sobre la hoja de ruta de la tecnología de procesos, que ponen de relieve la innovación de la empresa en el escalado continuo -incluida la potencia trasera PowerVia, los sustratos de vidrio para el empaquetado avanzado y Foveros Direct-, se originaron en Components Research y se espera que estén en producción esta década.