Intel reserva los 6 primeros escáneres EUV High NA de ASML: EE.UU. se pondrá a una distancia sideral de China

Lo que era un rumor entre bambalinas ya es oficial. Desde Corea del Sur dan por perdida la pugna por el liderazgo de Samsung a partir de 2025 frente a TSMC e Intel, puesto que se informa que el equipo azul ha sido el que más dinero ha puesto sobre la mesa y más presión ha recibido de ASML para hacerse con los 6 primeros escáneres de tipo EUV High-NA. Por lo tanto, EE.UU. le meterá una distancia sideral a China en chips a partir del año que viene.

El año pasado Biden fue a Corea del Sur a visitar a Samsung sabiendo que el presidente del país que le acogía había visitado previamente Países Bajos, en concreto, a ASML. Era un juego de poder y Biden quiso saber de primera mano qué planeaba Samsung, aunque fuese simplemente conceptual. La resolución de aquello mostró a Biden que iban a llegar otra vez tarde a la carrera de los chips, y de aquellos barros, estos lodos de hoy.

Intel se hará con los primeros 6 escáneres EUV High-NA de ASML

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Llegarán a finales del año que viene y no exentos de problemas que la compañía europea ha superado con muchas dificultades. El gigante de los escáneres ha comprometido las 6 primeras unidades de cara a finales de 2025, las cuales irán destinadas a las FAB de Oregón al parecer.

El propio Pat Gelsinger ha dado la noticia esta semana tras algo impropio en un CEO de una gran empresa. Y es que el mandamás de Intel ha confesado que llamó personalmente a Peter Wennink, director ejecutivo de ASML, para discutir las necesidades que tenía su empresa y cómo podían hacerse con los escáneres en primer lugar. Gelsinger afirma que le dijo a Wennink que "asegurar el equipo de escáneres es la tarea más crucial para expandir las capacidades de producción de semiconductores".

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Cada escáner está tasado en 350 millones de euros, pero se rumorea que Intel podría haber pagado hasta 400 para hacerse con estas 6 unidades de ASML en EUV High-NA. ¿Y qué hay de Samsung? Pues no solamente es Samsung, es la compañía más SK Hynix.

Están en cola en ASML con prioridad sobre TSMC, y ambas los van a enfocar a la DRAM y lógica a largo plazo. ¿Por qué TSMC no opta todavía a comprarlos? Pues porque van con retraso como vimos en el roadmap 2026. Será a finales de dicho año cuando accedan a las primeras unidades, y entre tanto, tienen trabajo con el N2X y N2P con EUV a 2 nm.

EE.UU. va a dejar a China a una distancia sideral

ASML-Multi-Patterning,-Double-Patterning,-Triple-Patterning,-Quad-and-Five-Patterning,-SADP-y-SAQP,-DSA-o-EUV

El profesor Kwon Seok-jun de SKUU ha mostrado lo que importa un escáner para obleas y chips en cuanto a sus capacidades para grabarlos a distintos nanómetros. En concreto, ha querido comparar la tecnología DUV + SAQP (Self-Aligned Quadruple Patterning, es decir, patrón cuádruple) con un escáner EUV actual.

Para ello compara los pasos de grabado y el rendimiento por oblea. Esto es importante si tenemos en cuenta que los escáneres DUV + SAQP de China tienen que competir ahora mismo con EUV, y en poco más de un año con los primeros EUV High-NA de EE.UU. con Intel. Pues bien, a 5 nm, que es el nodo más avanzado que puede obtener China, suponiendo que se usen 100 pasos en DUV+SAQP, en rendimiento es de solo un 44,8%.

O lo que es igual, más de la mitad de los chips son defectuosos. Con EUV y 15 pasos el rendimiento es de un 73,9% (Dylan Patel asegura que estos 5 nm tienen más capas DUV).

DUV-vs-EUV-con-4-máscaras-de-grabado

Si bajamos a 3 nm con DUV+SAQP, algo que China podría intentar yendo al límite con sus escáneres actuales y no sin problemas (ni ASML lo consiguió a buena tasa) se tendrían que dar 230 pasos por cada oblea. Con EUV solo 25, lo que evidencia la escala exponencial de dificultad entre uno y otro.

En cuanto a los rendimientos, 3 nm DUV+SAQP tendría un 15,8% de tasa de éxito, lo que es inasumible para China, mientras que con EUV la tasa de chips aptos cae a un 60,4%, ya que es baja, pero asumible.

Para finalizar, mismos ejemplos, pero con 2 nm. DUV tendría que dar 320 pasos por solo 30 de EUV, dando unos rendimientos del 7,65% vs 54,6% con la tecnología Extreme Ultraviolet como litografía simple (que no Multi-Patterning). Por tanto, y en resumen, si China tuviese la increíble fortuna de poder llegar a los 2 nm con los escáneres que posee, ya sea con nuevas técnicas o modificando ciertas partes, el rendimiento sería tan malo que desbordaría los costes para producir 7 chips hábiles por cada 100.

Todos los rivales de China escalarán en rendimiento para chips cada vez más rápido

China-vs-EEUU

Ahora imaginemos qué puede hacer Intel en EE.UU. con los escáneres de ASML EUV High-NA, porque se dice que la tasa de éxito ya supera el 70% en estos momentos, y podría mejorar para el año que viene. Aunque 10 veces más no parece mucho y China podría subsistir, el coste es tan alto en tiempo y dinero frente a lo que podrá hacer Intel, que le es inviable siquiera pensar en la idea de invertir miles de millones en diseñar una tecnología anexa para DUV.

Quizás les fuese más rentable, lógicamente, intentar dar el salto a escáneres propios EUV, lo cual a ASML le llevó más de 10 años. China llegará de una forma u otra, ahora falta saber con cuánto dinero invertido y cuántos años de retraso, para ese entonces EE.UU. estará en otra galaxia junto con Europa, Corea del Sur, Taiwán y Japón.