Samsung Shinebolt, la memoria HBM3e de nueva generación es un 50% más rápida y con 36 GB por chip
Samsung está en un gran problema teniendo en cuenta cómo se está moviendo el sector de la IA en estos momentos. Esta misma semana, y en silencio, se confirmó algo que no consideramos que diese para noticia por su reducido interés, pero la realidad es que se confirmó que SK Hynix iba a trabajar en exclusiva con NVIDIA para la nueva HBM3e, dejando a Samsung de lado en un duro golpe para los coreanos. Pues bien, hoy Samsung ha salido al desquite con la alternativa a dicha memoria, la cual ha denominado como Samsung Shinebolt, su HBM3e de nueva generación que aumenta su rendimiento en un increíble 50% frente a la HBM3 original.
Es la quinta generación de memoria HBM de Samsung, y dado el varapalo que ha supuesto perder a NVIDIA, líder del sector destacadísimo en IA, los de Corea del Sur quieren que los verdes se lo replanteen en base a unas especificaciones básicas filtradas que quitan el hipo. Veamos cuáles son.
Samsung Shinebolt HBM3e, un salto de rendimiento impresionante para competir con SK Hynix
Es un problema temporal, es decir, de tiempo. SK Hynix llegó primero, llegó bien, y producirá antes su memoria HBM3e, lo que unido a un buen precio y una alta disponibilidad ha hecho que NVIDIA opte por ellos antes que por Samsung, pero, ¿es mejor la opción de estos últimos?
Pues teniendo en cuenta que van a compartir capacidad tanto de inicio como de final, las diferencias son los detalles más concretos. Recordemos que SK Hynix utiliza la tecnología MR-RUF o Advanced Mass Reflow Moulded Underfill, que garantiza según la marca una disipación de calor mejorada de nada menos que un 10% y añade un relleno intercapa que reduce el grosor total de cada pila HBM.
Por ello, donde antes se podían colocar 8 capas, ahora con HBM3e SK Hynix consigue colocar 12 Hi, logrando una capacidad total de hasta 36 GB (24 GB en esta primera generación) por pila en su proceso litográfico 1beta. ¿Qué ofrece Samsung ahora llegando casi dos meses más tarde? Pues un proceso mejorado 1alpha que incluye también 24 GB en 8 capas, y 36 GB posteriormente cuando se termine el diseño, pero ya con 12 capas, igual que SK Hynix. Las ventajas, por lo tanto, están en la velocidad.
Hasta 1.228 TB por segundo, la más rápida del mundo
Hay que volver a citar a SK Hynix con su HBM3e, porque esta Samsung Shinebolt es realmente más rápida. En concreto, los primeros consiguieron nada menos que 1,15 TB/s, pero sus rivales acaban de filtrar que han conseguido 1,228 TB/s, es decir, un 6,08% más de rendimiento.
Lo que no sabemos es la disipación que logra Samsung, porque no ha sido filtrada como tal, pero sí que podemos adelantar que han usado la tecnología TC-NCF, una película de compresión térmica muy parecida a la que usa SK Hynix y que debe mejorar la eficiencia.
Sin embargo, y dicho todo esto, no sabemos cuándo llegará al mercado. Lo que se ha filtrado es que Samsung está enviado prototipos de Shinebolt y su HBM3e para ciertos clientes, de manera que la implementen en su IP y puedan validad la calidad y especificaciones concretas que se les facilita.
Visto el roadmap de TrendForce, se espera que lleguen para mitad del año que viene, mientras que SK Hynix las tendrá para finales del primer trimestre de 2024, por lo que las B100 de NVIDIA para IA llegarán así justo cuando Samsung aterrice oficialmente en el mercado, algo que en el caso de los verdes ha sido definitorio para no esperar esta memoria, más rápida que la que eligieron hace unos días.