Intel Foundry Services proporcionará servicios de fundición a Tower Semiconductor
Tras intentar comprar a Tower Semiconductor, y fracasar en el intento, Intel Foundry Services (IFS), el servicio de fundición de Intel, anunció un acuerdo de una colaboración. En concreto, Intel proporcionará sus servicios de fundición y capacidad de fabricación de obleas de 300 mm al fabricante israelí. En concreto, este acuerdo ayudará a Tower Semiconductor a prestar servicios a sus clientes en todo el mundo.
Para tener un contexto, a mediados del pasado mes de agosto, Intel Corporation anunció que no había podido formalizar el acuerdo de compra del fabricante de chips Tower Semiconductor. Esta adquisición expiró debido a que la aprobación regulatoria de China nunca llegó. Evidentemente, la guerra comercial entre Estados Unidos y China ha afectado a la adquisición de Intel, la cual estaba valorada en 5.400 millones de dólares. Intel Corporation tuvo que pagar 353 millones de dólares debido a que el acuerdo no se llegó a cerrar.
Lo más gracioso del asunto, es que, gracias a esta cláusula de comisión de ruptura, la inversión de Tower Semiconductor le saldrá completamente gratis. Quizás Intel haya decidido hacer un intercambio de este tipo en vez de haber pagado por no cumplir el contrato.
Este acuerdo demuestra el compromiso tanto de Intel como de Tower de ampliar sus respectivas huellas de fundición con soluciones y capacidades a escala sin precedentes. Intel fabricará los flujos BCD (bipolar-CMOS-DMOS) de gestión de energía de 65 nanómetros altamente diferenciados de Tower, entre otros flujos, en la Fab 11X de Intel en Rio Rancho, Nuevo México.
Tower Semiconductor utilizará las instalaciones de fabricación de IFS de Nuevo México
Como parte de este acuerdo, Tower utilizará las avanzadas instalaciones de fabricación que tiene IFS en Nuevo México. Para ello, el fabricante israelí invertirá hasta 300 millones de dólares en la adquisición y propiedad de equipos y otros activos fijos que se instalarán en las instalaciones de Nuevo México.
Según Intel, esto le proporcionará una capacidad de más de 600.000 fotocapas al mes para el crecimiento futuro de Tower. Esto le dotará una capacidad capaz de respaldar la demanda prevista de los clientes de procesamiento analógico avanzado de 300 mm.
"Lanzamos Intel Foundry Services con la visión a largo plazo de ofrecer la primera fundición de sistema abierto del mundo que reúne una cadena de suministro segura, sostenible y resistente con lo mejor de Intel y nuestro ecosistema", dijo Stuart Pann, vicepresidente senior de Intel y director general de Intel Foundry Services. "Estamos encantados de que Tower vea el valor único que aportamos y nos haya elegido para abrir su corredor de capacidad de 300 mm en EE.UU.".
"Estamos encantados de seguir trabajando con Intel. De cara al futuro, nuestro principal objetivo es ampliar nuestras relaciones con los clientes mediante la fabricación a gran escala de soluciones tecnológicas de vanguardia", dijo Russell Ellwanger, CEO de Tower.
"Esta colaboración con Intel nos permite cumplir las hojas de ruta de demanda de nuestros clientes, con especial atención a las soluciones avanzadas de gestión de energía y de silicio sobre aislante (RF SOI) para radiofrecuencia, con la plena cualificación del flujo de procesos prevista para 2024. Vemos esto como un primer paso hacia múltiples soluciones sinérgicas únicas con Intel".
Resto de la información oficial proporcionada
Este acuerdo muestra cómo IFS permite el acceso a corredores de capacidad de fabricación a través de la red mundial de fábricas de Intel, incluyendo en los EE.UU., Europa, Israel y Asia. Además de las inversiones existentes en Oregón y las previstas en Ohio, Intel lleva más de 40 años invirtiendo e innovando en la región suroeste de EE.UU., con centros en Arizona y Nuevo México. Intel anunció anteriormente una inversión de 3.500 millones de dólares para ampliar sus operaciones en Nuevo México y equipar su campus de Río Rancho, uno de sus centros de innovación, para la fabricación de envases de semiconductores avanzados.
Para Tower, este es el siguiente paso en su camino hacia una mayor escala, sirviendo a una base de clientes en expansión en tecnologías de 300 mm lideradas por la fuerte adopción en el mercado de sus tecnologías líderes en la industria de 65nm BCD power y RF SOI. En concreto, la tecnología BCD de 65 nm de Tower ofrece a los clientes una mayor eficiencia energética, un tamaño y un coste de la matriz mejorados gracias a su figura de mérito Rdson, la mejor de su clase.
Del mismo modo, la tecnología RF SOI de 65 nm de Tower ayuda a sus clientes a reducir el consumo de batería de los teléfonos móviles y a mejorar las conexiones inalámbricas gracias a su cifra de mérito RonCoff, la mejor de su clase. El aumento de escala resultante de este acuerdo permitirá a Tower no sólo atender mayores oportunidades con las tecnologías existentes, sino también mejorar las asociaciones con clientes líderes del sector que ayudarán a forjar sólidas hojas de ruta tecnológicas de próxima generación.