Samsung también llega tarde: sus 2 nm de alto rendimiento para 2026, 1,4 nm en 2027

En la noche de ayer Samsung reveló algunos de sus proyectos "más secretos" hasta ahora. Entre ellos, sus dos nuevos nodos de cara al futuro, más concretamente desde este 2023 hasta el 2027, donde competirán contra Intel y TSMC de forma bastante dura. Lo malo es que no podrán seguirle la estela al gigante azul, salvo que la sorpresa sea mayúscula en rendimiento y densidad, puesto que los 2 nm de Samsung, aunque llegan en 2025 oficialmente, no tendrán versión de alto rendimiento hasta 2026. ¿Demasiado tarde o grandes mejoras que compensen el tiempo?

Más de 700 invitados, 38 empresas del sector con sus propios stands incluidos, un evento en mayúsculas que evidencia la importancia de lo que vamos a ver ahora, porque Samsung se juega su futuro como fabricante de chips, y como bien dijo su presidente "tenemos que garantizar el éxito de nuestros clientes, ya que es el valor más central de nuestros servicios de fundición". La pregunta más obvia es, ¿lo lograrán?

Samsung 2 nm, un año tarde y unas mejoras comedidas

Pues sí, frente a su gran rival llegará a tiempo, pero no es a TSMC al que hay que mirar, porque los de Taiwán también van con retraso. Es a Intel hacia donde hay que dirigir las miradas ahora y el hecho de que Samsung anunció ayer que sus 2 nm llegarán en 2025 no es una buena noticia.

Y no lo es, porque esta versión, la más básica y enfocada al sector móvil, debutará dicho año, pero la que todos esperamos es la versión de esos 2 nm de Samsung para HPC, la cual llegará en 2026, y por último, ya en 2027, tendremos la versión para el sector de los automóviles. ¿Y qué podemos esperar? Pues según la compañía tendremos un salto del 12% en el rendimiento, un aumento del 25% en la eficiencia energética y un área reducida en un 5%, todo si lo comparamos frente a los 3 nm actuales SF3.

Por lo tanto, el SF2 será un pequeño paso adelante en rendimiento, pero sobre todo en eficiencia, apenas en densidad, lo que nos indica que, salvo sorpresa con el SF2P, Intel va a tomar una buena ventaja frente a los coreanos.

En 2027 tendremos el debut del siguiente nodo: SF1.4

Si ya va tarde Samsung con sus 2 nm o SF2, con el siguiente paso, el SF1.4, o 1,4 nm, va todavía un paso más allá en el problema. Sí, es cierto que solo son 2 años como tal más (2027), pero es que para ese entonces la carrera por el CFET habrá casi comenzado e Intel tendrá bastante ventaja al respecto, puesto que sus Intel 18A estarán más que maduros y habrá pasado a la siguiente etapa.

Como estamos todavía a varios años vista y Samsung no quiere dar pista alguna, no ha ofrecido ningún dato acerca de SF1.4, pero desde hace algún tiempo se rumoreaba, con gran grado de acierto, los datos del SF2, así que es posible que los rumores que vimos sobre SF1.4 se cumplan.

Y es que estos rumores apuntan a una simple evolución de SF2 con los nuevos transistores CFET, ya que el proceso de 2 nm tendrá la segunda versión de MCBFET, una evolución de los transistores GAA que tanto hemos comentado en el pasado y que ahora ya son presente. Igualmente, aunque no superen a Intel, Samsung sí que podría superar a TSMC, como ya avisaron en su momento. Si finalmente la compañía integra CFET en SF1.4 y no GAA de tercera generación, entonces sí que se podría ver algo mucho más novedoso, pero realmente no se está apuntando hacia ello.