Micron anuncia su memoria UFS 4.0 para móviles: hasta 4.300 MB/s

Micron Technology anunció el lanzamiento de sus nuevos chips de memoria Universal Flash Storage 4.0 (UFS 4.0). Esta memoria ha sido diseñada para dispositivos móviles. En concreto, estamos ante unos chips de memoria 3D NAND Flash de hasta 232 capas capaces de acumular hasta 1 TB de capacidad. Lo más interesante de todo, es que ya ofrece velocidades de lectura y escritura dignas del mejor SSD NVMe PCIe 3.0 del mercado para ordenadores de sobremesa y portátiles.

"La última solución móvil de Micron combina nuestra tecnología UFS 4.0, la mejor de su clase, un controlador de bajo consumo patentado, una memoria NAND de 232 capas y una arquitectura de firmware altamente configurable para ofrecer un rendimiento inigualable", afirma Mark Montierth, vicepresidente corporativo y director general de la Unidad de Negocio de Móviles de Micron.

"Juntas, estas tecnologías posicionan a Micron a la vanguardia de la entrega de las innovaciones de rendimiento y bajo consumo que nuestros clientes necesitan para permitir una experiencia de usuario final excepcional para los smartphones tope de gama."

Especificaciones de la memoria UFS 4.0 de Micron Techonology

En concreto, esta memoria TLC NAND Flash de triple nivel y 232 capas, aportas notables mejoras de rendimiento. Para empezar, el ancho de banda de la escritura se duplica, mientras que el de la lectura aumenta en un 75%. Estos datos se traduce en alcanzar velocidades de lectura de hasta 4.300 MB/s, mientras que la velocidad de escritura alcanza los 4.000 MB/s.

Para que nos hagamos una idea, el SSD PCIe 3.0 NVMe más rápido del mercado alcanza los 3.500 MB/s de lectura y los 3.000 MB/s de escritura. Por ende, el rendimiento de esta memoria para dispositivos móviles ofrece velocidades dignas de SSDs PCIe 4.0 de gama baja.

Por si no fuera suficiente, estas notorias mejoras de rendimiento están unidas a una reducción del consumo energético en un 25%. Para terminar, ofrece un 10% de mejora en la latencia de escritura que la competencia. En definitiva, una memoria muy rápida para dispositivos móviles con un mayor impacto en su autonomía.

"Esta solución de almacenamiento móvil está diseñada de forma exclusiva utilizando la avanzada NAND 3D de 232 capas de Micron y su controlador y firmware desarrollados internamente. Esta estrecha integración vertical permite a Micron optimizar la sinergia entre el hardware y el firmware para ofrecer el liderazgo del sector en calidad, rendimiento y potencia".

Los nuevos smartphones tope de gama de este año estrenarán la nueva memoria

Según la compañía, Micron ya está enviando muestras de su solución de almacenamiento UFS 4.0 a los principales fabricantes de móviles y proveedores de chipsets de todo el mundo. Estas soluciones están disponibles en capacidades de 256 gigabytes (GB), 512 GB y 1 TB

Micron arrancará la producción en masa de su solución de almacenamiento UFS 4.0 en la segunda mitad de 2023. De esta forma, ya está lista para dar vida a un ecosistema móvil con el almacenamiento flash móvil de alto rendimiento necesario para innovar la próxima ola de experiencias de smartphone tope de gama 5G y la IA. Se espera que los primeros smartphones que hagan uso de esta memoria sean aquellos tope de gama que vayan a llegar a finales de este año o principios de 2024.