Samsung revoluciona los chips para automóvil con su memoria eMRAM

Samsung habló recientemente que ha conseguido combinar memoria eMRAM o MRAM empotrada con lógica en su nodo de 14 nm. Lo cual se traduce en un importante avance para el mercado de los microcontroladores, en especial para los que se utilizan en los automóviles a día de hoy, los cuales con el paso del tiempo han tenido la necesidad de electrónica cada vez más compleja y que se rige por unas normas diferentes a las del PC. Pero, ¿qué tiene de especial este nuevo avance?

Una de las puntas de lanza para el desarrollo de nueva tecnología en los próximos años es el llamado almacenamiento como memoria, donde la memoria RAM y el almacenamiento perpetuo se hacen uno solo. No obstante, en el caso que nos ocupa nos tenemos que centrar en los microcontroladores, condenados desde hace ya bastante tiempo a acceder a su memoria interna no volátil a muy bajas velocidades.

Samsung desarrolla memoria eMRAM para su nodo de 14 nm

Durante el simposio internacional VLSI, el cual se celebró en los días 13 a 15 del presente mes, Samsung presento memoria MRAM empotrada de 14 nm o eMRAM. Por lo que estamos hablando de que será posible crear chips que utilicen este tipo de memoria en su interior. No olvidemos que la MRAM o memoria de acceso aleatorio magnética es un tipo de memoria no volátil, la cual no pierde su contenido después de dejar sin una fuente de alimentación. Sin embargo, la gran ventaja de la MRAM es el hecho de poder alcanzar velocidades de acceso similares a las de la SRAM, la cual se suele usar dentro de los chips para cachés y registros, pero con una capacidad de densidad similar a la memoria DRAM convencional.

Uno de los puntos clave para el desarrollo de la eMRAM no es otro que el reemplazo de los EEPROM, memorias de solo lectura que suelen almacenar el código recursivo que ha de ejecutar un microcontrolador. Y es que estos por la poca velocidad de las memorias de solo lectura o las RAM no volátiles han sido uno de los mayores problemas en el mundo de la automoción, donde se necesitan microcontroladores de gran velocidad para poder reaccionar a tiempo durante la conducción.

El hecho de que se trate de memoria dentro del chip reduce al máximo la latencia del mismo, lo cual beneficia la latencia de las instrucciones y el tiempo de reacción, clave en un entorno en el que cada nanosegundo cuenta para todo el sistema electrónico del vehículo reaccione a tiempo.

La verás en tu automóvil, no en tu PC

Por lo que hemos de entender que la eMRAM que ha presentado Samsung se centra en dicho contexto y en ningún momento estamos hablando de una tecnologia que vayamos a ver en ningún PC. En concreto, lo que han presentado es un módulo de memoria magnética embebida, eMRAM, de 128 Mbits (16 MB) que puede funcionar desde -40 °C hasta +150 °C. Bajo la temperatura más alta puede alcanzar los 80 MHz en un bus de 256 bits con un voltaje de solo 0.64 V y una latencia de solo 15 nanosegundos. Permitiendo que se llegue a los 2.5 GB/s. No es una velocidad muy alta para lo que sería una CPU de PC, pero sí que lo es si hablamos en el contexto de un microcontrolador.

No olvidemos que los coches de última generación tienen una gran cantidad de sensores que manejan una gran cantidad de información y buena parte de estos microcontroladores se encargan de procesar dicha información a gran velocidad. Por lo que se hace cada vez más necesario tener memorias empotradas cada vez más rápidas con tal de procesar lo suficientemente rápido el volumen de datos que se generan en cada momento.

Pese a ello no es el único problema, sino que hemos de tener en cuenta que las temperaturas que se alcanzan en un vehículo son mucho más altas y, por tanto, el desafío se encuentra en diseñar chips que funcionen de manera operativa bajo dicho nivel de calor. En todo caso, lo que ha presentado Samsung es por el momento una versión preliminar a la producción en masa, y, en consecuencia, tardaremos algún tiempo en ver los primeros coches en usar esta tecnología circulando en nuestras carreteras.