Samsung: «Superaremos a TSMC en 5 años, solo estamos 1 o 2 por detrás»
El presidente y jefe de negocios de semiconductores de Samsung ha confirmado lo que ya hemos especulado aquí en varias ocasiones viendo los datos que se han ido ofreciendo de sus rivales, en concreto, TSMC. Y es que en una conferencia en KAIST, uno de los principales centros de Ciencia y Tecnología que existen en Corea del Sur, el máximo responsable de la compañía más grande del país ha puesto el dedo en la llaga taiwanesa. ¿Puede realmente Samsung superar a TSMC en solo 5 años gracias a lo hecho con GAA?
Samsung jugó una carta muy peligrosa y no fue más que dejar atrás el pasado, quedarse con un nodo maduro en producción y centrar todos los esfuerzos y recursos en el cambio a los transistores GAA. No fue fácil como vimos, tuvo muchas críticas, llegaron primero con muchos problemas, pero ya están por encima del 60% de tasa de éxito en la producción de sus 3 nm, y ahora se muestran muy ambiciosos.
Samsung, ¿por encima de TSMC en 2028 con GAA?
Aquí se juntan unos cuantos argumentos distintos que, temporalmente hablando, van a coincidir para que se pueda producir lo que afirma el presidente y jefe de negocios de semiconductores de Samsung. Las declaraciones no tienen desperdicio:
“Para ser honesto, nuestra tecnología de fundición está uno o dos años por detrás de la de TSMC. Sin embargo, una vez que TSMC se una a nosotros en la carrera por la tecnología de 2 nanómetros, Samsung liderará el camino. Dentro de cinco años, podemos superar a TSMC”
Hay que tener en cuenta que los coreanos tienen ventaja por haber llegado antes y que la estrategia ha sido la correcta, puesto que TSMC no quiere hablar apenas de sus 2 nm y solamente afirma que llegarán en 2026, pero de eso no se puede estar nada seguro, principalmente porque los rumores no son nada buenos. Los motivos son, lógicamente, el salto a los transistores GAA y al proceso de miniaturización, que está provocando en el seno de los taiwaneses una serie de problemas de estabilización eléctrica y fugas de energía que no parecen saber subsanar por ahora.
Intel y Samsung tomarán el relevo
Lo venimos avisando, y a parte de lo dicho por Kyung Kyehyun más arriba, hay que tener en cuenta a Intel en este proceso de transición, los cuales son los que más están apretando todo. Sí que sabemos, puesto que ya es una realidad y no tanta promesa, es que con el cambio a GAA y a los 3 nm de Samsung los coreanos han conseguido aumentar el rendimiento de sus chips un 30% reduciendo el consumo de energía un 50% y el área total de cada chip en un 45% frente al nodo anterior.
Lo que suena muy rimbombante por estas cifras no lo es tanto realmente, puesto que el nodo anterior de Samsung era bastante modesto en prestaciones y más frente a TSMC y sus 7 nm o 5 nm actuales. Kyung ha querido enfatizar un poco esto y restar peso a las novedades enfocando todo al futuro:
“La tecnología de 4 nm de Samsung está dos años por detrás de la de TSMC, y nuestra tecnología de 3 nm está aproximadamente un año por detrás. Pero las cosas cambiarán cuando TSMC ingrese al proceso de 2 nm”, dijo Kyung. “Nuestros clientes son favorables a nuestra tecnología GAA. Casi todas las empresas importantes están trabajando con nosotros, aunque no puedo revelar sus nombres. La base de clientes de fundición de Samsung está creciendo"
La semana pasada hablamos de que AMD mueve producción de TSMC a Samsung, hace meses y con mucho sigilo NVIDIA movía también parte de la producción a los coreanos. No se sabe a ciencia cierta qué productos incluirán chips de TSMC y cuáles de Samsung, pero es una realidad que están robándole cuota de mercado a los taiwaneses y si estos no dan con la solución a sus problemas en GAA y 2 nm...
Intel y Samsung les van a pasar por encima porque van más adelantados con este tipo de transistores, algo que ya dijimos meses atrás con una buena precisión en nuestras especulaciones de los nodos, densidades, rendimientos y eficiencia.