Samsung GDDR6W: chips de memoria con 32 Gb de capacidad

Samsung anunció sus nuevos chips de memoria GDDR6W. Como resumen rápido, respecto a los actuales chips GDDR6, estos multiplican por dos la capacidad capaz de albergar, a lo que se le suma que también multiplica por dos el ancho de banda. Todo ello en conjunto, le hace rivalizar con la memoria de alto rendimiento HBM2E.

Samsung indica que estos chips vienen a romper un cuello de botella para lidiar con las complejidades de los objetos y entornos del mundo real y recrearlos en un espacio virtual. Para ello se necesita una gran cantidad de memoria y una mayor potencia de cálculo.

Memoria enfocada a GPUs de muy alto rendimiento

Tal y como indica la propia compañía, estos chips de memoria están diseñados para una nueva generación de tarjetas gráficas enfocadas a la realidad virtual. De ahí la necesidad de una gran capacidad de memoria y un alto ancho de banda.

En cosas más importantes y reales, como los juegos

, se indica que esta memoria también es idónea para tarjetas gráficas de alto rendimiento ligadas a renderizar gráficos en 3D con Ray Tracing. Por no hablar de mover juegos Triple A a resoluciones 4K y 8K con una alta tasa de fotogramas por segundo.

"Para ello se necesita una memoria masiva y una mayor potencia de cálculo. Al mismo tiempo, los beneficios de la creación de un metaverso más fiel a la realidad serán de gran alcance, ya que incluirán simulaciones de escenarios complicados en la vida real, entre otras cosas, lo que provocará la innovación en una serie de sectores".

El Ray Tracing permite recoger información sobre la luz para determinar el color de cada píxel mediante cálculos en tiempo real. Este tipo de cálculo requiere de la computación casi simultánea de cantidades considerables de datos: entre 60 y 140 páginas para un segundo de una escena de juego.

Además, la calidad de los juegos está aumentando rápidamente, con resoluciones que pasan rápidamente del estándar 4K a 8K, mientras que las memorias intermedias de los fotogramas aumentan para expandirse dos veces más que las existentes en respuesta. Por eso, la alta capacidad y el gran ancho de banda son esenciales para satisfacer la creciente demanda de memoria a medida que los juegos siguen desarrollándose.

Especificaciones de la memoria Samsung GDDR6W

La compañía ha indicado que la capacidad de esta memoria DRAM para GPU se ha duplicado de 16 Gb a 32 GB. Por otro lado, el ancho de banda se ha duplicado hasta alcanzar los 1.4 TB/s respecto a los 1.6 TB/s que alcanza la memoria HBM2E. A ello se le suma que alcanza esta densidad y ancho de banda ocupando un 50% menos de área respecto a la memoria GDDR6.

"Además, dado que la memoria GDDR6W reduce el número de I/O a aproximadamente 1/8 en comparación con el uso de HBM2E, elimina la necesidad de utilizar microbobinas. Eso hace que sea más rentable sin necesidad de una capa de interposición".

"Gracias a la aplicación de una avanzada tecnología de empaquetado a la memoria Samsung GDDR6, la GDDR6W ofrece el doble de capacidad de memoria y rendimiento que los chips de tamaño similar". Afirmó CheolMin Park, Vicepresidente de Planificación de Nuevos Negocios de Samsung Electronics Memory Business.

"Con la memoria GDDR6W, somos capaces de fomentar productos de memoria diferenciados que pueden satisfacer diversas necesidades de los clientes, un paso importante para asegurar nuestro liderazgo en el mercado".