Samsung ya está desarrollando memoria GDDR7 a 36 Gbps para GPU

Samsung Electronics ha anunciado la que será la próxima generación de memorias de alto rendimiento para GPU, la GDDR7. Diseñada para la próxima generación de centros de datos, computación de alto rendimiento y GPU tope de gama, esta memoria Samsung GDDR7 llega a 36 Gbps, por lo que sí, una futura GPU tope de gama será aún más costosa. Como referencia, la memoria GDDR6X es capaz de alcanzar los 24 Gbps.

Justo a simplemente hablar de esta futura memoria, la compañía también indicó que, mucho antes de que eso suceda, los dispositivos móviles recibirán el próximo año chips de memoria LPDDR5X a 8.500 MHz en opciones de hasta 32 GB de capacidad.

Además de la Samsung GDDR7 a 36 Gbps habrá chips de memoria V-NAND de +1.000 stacks

Por desgracia, de la memoria Samsung GDDR7 y LPDDR5X a 8,5 Gbps, no se amplió la información. Al menos indicaron que la 8ª Generación de chips de memoria Samsung V-NAND llegarán a finales de este año alcanzando una capacidad de 1 Tb. Esto implica una mejora de densidad del 42% respecto a la generación anterior, y prácticamente el doble que el resto de la industria.

Entre otras de las historias, indicó que la 9ª Generación de sus chips de memoria V-NAND iniciará su producción en masa en el 2024. Aún con una visión mucho más lejana unos chips de memoria V-NAND de 1.000 pisos está planeada para el 2030, consiguiendo así comprimir una gran cantidad de almacenamiento en muy poco espacio, y todo ello aumentando las velocidades de transferencia de datos.

Memoria RAM de 5ª Generación a 10nm

Para terminar con la información relevante anunciada por la compañía, anunció sus futuros chips de memoria DRAM a un proceso de fabricación 1b (10nm), que aún están en fase de desarrollo. Según revela, la producción masa está prevista para algún momento del próximo año (2023). En lo que respecta a futuros chips de memoria con procesos de fabricación más avanzados, la compañía indica que ha estado desarrollando "soluciones disruptivas" en materia de modelado, materiales y arquitectura, con tecnología como el que denomina el material "High-K". Así que sí, algo que no veremos hasta dentro de unos años.

Más allá de la memoria DRAM convencional, Samsung también subrayó la importancia de las soluciones DRAM a medida, como HBM-PIM, AXDIMM y CXL, que pueden impulsar la innovación a nivel de sistema para gestionar mejor el crecimiento explosivo de los datos en todo el mundo. Eso sí, ahí se acabó la información que tenían que aportar.

"Un billón de gigabytes es la cantidad total de memoria que Samsung ha fabricado desde sus inicios hace más de 40 años. Aproximadamente la mitad de ese billón se ha producido solo en los últimos tres años, lo que indica la rapidez con la que avanza la transformación digital. A medida que los avances en el ancho de banda, la capacidad y la eficiencia energética de la memoria permitan nuevas plataformas y estas, a su vez, estimulen más innovaciones en materia de semiconductores, impulsaremos cada vez más un mayor nivel de integración en el viaje hacia la coevolución digital", dijo Jung-bae Lee, Presidente y Jefe del Negocio de Memoria de Samsung Electronics.

Cifras sin duda impresionantes que evidencian que Samsung se ha puesto totalmente las pilas, sobre todo a raíz de lo que vimos ayer con su nuevo plan a largo plazo.