Los chips Samsung a 3 nm+ consumen la mitad y son un 30% más rápidos

Los semiconductores siguen, y seguirán, de total actualidad en nuestro sector. La guerra da un nuevo paso hacia delante y el soldado caído que parecía moribundo parece retomar fuerzas y volver a la lucha. Y es que Samsung tras todos los problemas que ha sufrido ahora anuncia una serie de mejoras más que interesantes para su último nodo de vanguardia. Estas son las primeras mejoras de los chips que integren el proceso litográfico de Samsung a 3 nm+.

Lo que parecía ser la salvación de Samsung tras la debacle y controversia de la estrategia tomada en semiconductores no está saliendo tan bien como esperaban. Los 3 nm con transistores GAA deberían haber sido solicitados por al menos los grandes fabricantes y diseñadores de procesadores... Pero la sobra de la duda sigue a Samsung y no están siendo bien recibidos, hay demasiado recelo, así que la compañía ha dado nuevas claves de su sucesor para incentivar las ventas de obleas con su proceso original.

Qualcomm se fue con TSMC y Samsung recoge las migajas

La realidad es que salvando las empresas de minería y cuatro o cinco clientes más, pocos se han interesado por el nuevo proceso litográfico de los coreanos pese a que las mejoras son más que interesantes sobre el papel y frente a los 5 nm que tenían como nodo top:

• 16% de reducción de área.
• +23% de rendimiento.
• -45% de reducción del consumo de energía.

Son datos muy buenos teniendo en cuenta el cambio que ha supuesto crear estos nuevos transistores. Por lo tanto y aunque como decimos ahora mismo no parece muy atractivo para las empresas, sí que es cierto que hay rumores de que muchas están probándolos bajo sus diseños y la primera curiosamente podría ser Google de cara a su smartphone Pixel 8

, o la propia Samsung que lo incluirá en el Exynos 2300. Pero esto es solo el principio de lo que está por venir y lo que es más interesante, pondrá a Samsung de nuevo en el tablero frente a Intel y TSMC.

Samsung 3 nm+, la segunda generación de chips empujará al límite el diseño

Sin duda lo que tienen los coreanos bajo la manga sí que será atractivo a todas luces. Superados los escollos de diseño y producción de los 3 nm GAA llegará en 2024 la segunda generación con arquitectura MBCFET con todavía más mejoras frente al actual nodo, al menos según acaba de informar la propia Samsung:

• 35% de reducción del área por chip.
• +30% de rendimiento.
• -50% del consumo de la energía.

Como vemos, son cifras mucho más que respetables para tratarse solo de una evolución del mismo y les situaría, en principio y salvo sorpresa, a la par de Intel 4 y TSMC 3 nm+ según los primeros números que calculamos. Si todo va bien, es posible que Qualcomm vuelva a Samsung, puesto que se especula con que de las tres grandes ofrecerá los mejores precios y descuentos, lo que unido a su grado de competitividad e innovación podría ser un golpe maestro de la compañía tras haber navegado en el desierto durante estos últimos años.

Habrá que estar atentos a 2024 y a una nueva página en la guerra por el dominio de los transistores y los chips.