TSMC superará a Intel y Samsung: transistores CFET, ¿antes de 2030?
La tecnología es increíble. No ha llegado al mercado ni un solo chip con transistores GAA, también llamados Nanosheet según a qué empresa miremos y ya tenemos a los primeros en nombrarlos con fecha incluida. TSMC de nuevo parece que se va a adelantar a todos una vez más lanzando en un gap de tiempo muy estrecho sus chips con transistores CFET, que como vimos la semana pasada son una evolución muy importante para cualquier procesador o tarjeta gráfica.
Ha sido en un simposio para unos pocos periodistas, pero en este tipo de eventos más personales y quizás algo más informales que una gran presentación es donde TSMC ha lanzado la bomba que durante este verano repetirá en varias conferencias por todo el mundo. ¿De verdad están tan avanzados en este campo?
CFET o Complementary FET, el siguiente paso a GAAFET para TSMC
Ya hablamos brevemente sobre este tipo de transistores que prometen revolucionar la tecnología y hacerla más cara casi a partes iguales, sobre los dispositivos tipo N y tipo P y cómo tanto TSMC, como Samsung como Intel van a apilarlos verticalmente para reducir el uso de energía por transistor. Pues lo que hablamos en dicho día dejaba un plazo de unos 10 años vista, donde se tenían que vencer varios problemas que actualmente no tienen solución.
Ahora es cuando llega Zhang y lanza una bomba de difícil digestión para Samsung e Intel que tiene como protagonista el disulfuro de tungsteno:
Esto (CFET) todavía está en la fase de investigación. Esta es solo una opción de transistor. No creo que pueda ofrecerle un cronograma de cuándo entrará en producción esta tecnología de transistores. Creemos que todos estos nuevos dispositivos y materiales nos ayudarán a hacer avanzar la tecnología. Igualmente, pensamos que 3 nm será un nodo largo.
Continuaremos viendo una demanda de alto volumen en ese nodo. Pero en términos de transición de 3 nm a 2 nm... Nanosheet tiene una ventaja única en términos de mejorar aún más la eficiencia energética y computacional debido a la arquitectura del transistor. Esperaríamos que los clientes con productos que requieren más eficiencia energética en términos de requisitos computacionales, pasen primero a 2 nm.
¿Se está adelantando Samsung? ¿Se atrasa de nuevo Intel?
Bueno, Zhang habla al respecto en unas declaraciones muy interesantes dado que CFET queda todavía muy lejos como transistor estrella:
Samsung es el primero y ahora está adoptando Nanosheet, pero eso, por el contrario, ha asustado a clientes como Qualcomm y NVIDIA y los ha llevado a TSMC, ya que estos clientes se preocupan por los riesgos de ejecución. El plan de Intel también es anterior al de TSMC, probablemente alrededor de un año, pero nuevamente si Intel puede ejecutarlo es un asunto aparte.
La comercialización de nueva tecnología con calidad, rendimiento y, por lo tanto, costo y volumen predecibles, requiere un juicio cuidadoso sobre la preparación tecnológica y las capacidades de ejecución, y ahí es donde TSMC realmente se diferencia. Y es que los 3 nm y 2 nm se superpondrán [y] coexistirán durante bastante tiempo.
Lo cierto es que la historia reciente ciertamente favorece a TSMC, pero al mismo tiempo, el panorama competitivo ha cambiado con Intel dispuesto a invertir significativamente más de lo que había hecho en los últimos 20 años, y además cuenta con apoyo gubernamental, cosa que no había ocurrido a esta escala, por lo que puede competir de tú a tú con TSMC.
En cualquier caso, CFET será un cambio muy importante y al mismo tiempo un reto que hay primero que enfrentar y luego trabajar para superarlo. Las estimaciones hablan de 2030 para CFET, pero TSMC tendrán sus 2 nm con Nanosheet en 2025 y como hemos visto ya trabajan en ellos, por lo que podrían adelantarse y superar de nuevo a Intel y Samsung.
