Samsung inicia la producción en masa de chips usando su litografía 3nm GAA
Samsung Electronics ha anunciado que ha comenzado a fabricar chips en masa empleando su proceso de fabricación más avanzado, y este no es otro que los 3nm con la arquitectura de transistores Gate-All-Around (GAA).
Para resumirte la información y dejarte el relleno para luego, debes saber que comparado con los 5nm de la compañía, estos 3nm consiguen reducir el consumo energético en hasta un 45 por ciento, aumentar el rendimiento en hasta un 23 por ciento, y todo ello reduciendo el área en un 16 por ciento. La 2ª Generación de los 3nm conseguirá ampliar los márgenes ligeramente, y es que respecto a los 5nm, el consumo energético se reducirá en hasta un 50%, el rendimiento aumentará en hasta un 30% y todo ello reduciendo el área utilizada en un 35%.
La tecnología GAA de Samsung llega para saltarse las limitaciones de rendimiento del clásico diseño FinFET, mejorando la eficiencia energética al reducir el nivel de tensión de alimentación, al tiempo que mejora el rendimiento al aumentar la capacidad de corriente de accionamiento.
Samsung está iniciando la primera aplicación del transistor nanosheet con chips semiconductores para aplicaciones informáticas de alto rendimiento y bajo consumo, y tiene previsto ampliarla a los procesadores para móviles.
"Samsung ha crecido rápidamente, ya que seguimos demostrando nuestro liderazgo en la aplicación de tecnologías de nueva generación a la fabricación, como la primera puerta metálica de alta K de la industria de la fundición, FinFET, así como EUV. Buscamos continuar este liderazgo con el primer proceso de 3nm del mundo con el Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET™)", dijo el Dr. Siyoung Choi, Presidente y Jefe del Negocio de Fundición de Samsung Electronics.
"Continuaremos con la innovación activa en el desarrollo de tecnologías competitivas y construiremos procesos que ayuden a acelerar la consecución de la madurez de la tecnología."
La tecnología patentada por Samsung utiliza nanohojas con canales más anchos, que permiten un mayor rendimiento y una mayor eficiencia energética en comparación con las tecnologías GAA que utilizan nanohilos con canales más estrechos. Utilizando la tecnología GAA de 3nm, Samsung podrá ajustar la anchura de los canales de la nanoplancha para optimizar el uso de la energía y el rendimiento para satisfacer las distintas necesidades de los clientes.
