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Samsung toma la delantera en los chips: 3 nm esta semana, 2 nm en 2025

La guerra sigue y hoy va a tener un punto álgido, principalmente porque Samsung ha sorprendido a todos anunciando antes de lo esperado algo que se rumoreaba entre bambalinas: sus chips a 3 nm están listos para ser fabricados en masa en tan solo una semana, donde además planea competir de tú a tú con TSMC para 2025 con sus 2 nm teniendo los coreanos cierta ventaja táctica como vamos a ver a continuación.

Dicen que quien golpea primero, golpea dos veces, y puede ser perfectamente cierto. El factor tiempo es clave en esta industria, si no que se lo digan a Intel y sus retrasos. Por ello, Samsung dejó de lado ciertos procesos litográficos para centrarse en lo último en transistores y poder llegar primero, y lo hará a la vista de lo que han comentado.

La visita de Biden a Samsung, clave para la credibilidad de los chips a 3 nm

Aunque parezca mentira, Samsung ha estado envuelta en mucha controversia con los problemas de fabricación, algo que ya tratamos en su día, y ello ha hecho que su reputación quede muy dañada.

El viaje que hizo hace más de un mes el presidente de los EE.UU a las nuevas FAB coreanas ha dado credibilidad a la empresa de cara al anuncio que puede cambiar el 2023, y no es más que la producción en masa de los chips y obleas fabricados con su proceso litográfico de 3 nm, el cual integra por primera vez en la historia los transistores GAA, llamados MBCFET por la compañía.

Nadie en la industria tiene algo así, ni Intel ni TSMC, así que se estila una jugada maestra de Samsung frente a sus dos rivales y por mucho, ¿o quizás no tanto? Y es que si seguimos la línea de rumores nos lleva hasta algo bastante inaudito: Samsung tendría muy pocos clientes para estos 3 nm con GAA, ¿cómo es posible?

El presente, el futuro, los 2 nm y la reputación

Los problemas de Samsung con este nodo fueron de tal calibre que incluso AMD desestimó la idea de comprarlos en volumen por las dudas que se generaron con los problemas de fabricación tan famosos. De hecho, se rumorea que AMD tenía como primera opción precisamente Samsung y no TSMC, pero no lo vio claro y terminó optando por el socio confiable visto que NVIDIA no iba a dejarles resquicio alguno temporal.

Si Samsung cumple y lanza su proceso litográfico de 3 nm con GAA la semana que viene y está disponible para sus clientes, el siguiente paso se centra ya en 2025, donde la compañía entrará en los 2 nm, justamente al mismo tiempo que TSMC, los cuales también incluirán por fin transistores GAA.

Pero cuidado con pensar que estos dos van a tiempo, porque si Intel cumple con el roadmap que facilitó los azules llegarán en 2024

con su versión de GAA y su proceso litográfico Intel 20A, el cual incluirá transistores RibbonFET.

Por lo tanto, y al menos sobre el papel, tanto Samsung como TSMC estarían por detrás del gigante azul si no pueden recortar tiempo de investigación y desarrollo, dejando la carrera por superar el átomo y la densidad de transistores en un punto álgido que cambiará la industria por completo como ya lo hizo en su momento FinFET.

Protector Indefinido

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