Samsung presentará su tecnología de 3nm al presidente de Estados Unidos

Samsung mostraría esta misma semana su proceso de fabricación más avanzado, los 3nm GAE, al presidente de los Estados Unidos, Joe Biden. Según se indica, será esta semana cuando el presidente visite el campus del gigante coreano en la ciudad de Pyeongtaek, y en un momento donde toda la industria está falta de chips, Samsung quiere intentar ganarse a un poderoso aliado, y cliente, que de salida a su proceso de fabricación más avanzado, del cual, hasta ahora, no hay ningún informe oficial que revele qué compañías están interesadas o han cerrado ya un acuerdo para su utilización.

Al parecer, el presidente de Estados Unidos llegará a Seúl para una visita de tres días y, según el medio local de Corea del Sur, Yonhap, esa visita incluirá un recorrido por las instalaciones de Samsung en Pyeongtaek, que también son las más grandes del mundo y están situadas a unos 70 kilómetros al sur de Seúl. Además de Biden, se dice que el vicepresidente de Samsung, Lee Jae-yong, le acompañará en la visita para mostrar el proceso de producción en masa de su proceso de fabricación de nueva generación.

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Desde hace varios meses, se informa de que Samsung va a iniciar la producción en masa de su tecnología Gate-All-Around (GAA) de 3nm. Justo el pasado mes de abril la compañía indicó iniciará el proceso de fabricación en masa de 3GAE (3 nm) durante este trimestre. Con esto la compañía conseguirá dos hitos: ser la primera en ofrecer un procesado de fabricación de 3nm de la industria (al menos bajo el papel, no se habla de densidades), además de también ser la primera que emplea un proceso de fabricación con un diseño GAAFET (FET Gate All Around). 3GAE = a 3nm GAAFET.

Según indica Samsung, su proceso de fabricación de 3nm reduce el tamaño total del silicio en un 35 por ciento respecto al proceso de fabricación de 5nm FinFET. Además de ser más pequeño, promete una disminución del consumo energético entorno a un 50 por ciento, mientras que el rendimiento aumenta en un 33 por ciento y la densidad de transistores crece en un 80%.

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