Samsung anuncia su memoria UFS 4.0: Hasta 4200 MB/s de lectura

Samsung anunció el desarrollo de sus nuevos chips de memoria Universal Flash Storage 4.0 (UFS 4.0), la cual se volverá muy popular en una nueva generación de dispositivos móviles de alta gama gracias a su velocidad, y es que duplica el ancho de banda respecto a la actual memoria UFS 3.1, lo que se traduce en alcanzar los 23,2 Gbps por carril.

En lo que respecta a las especificaciones, estas se completan con el uso de la 7ª Generación de chips de memoria V-NAND junto a una controladora propietaria para hacer que se alcance unas velocidades de lectura de hasta 4200 MB/s con una velocidad de escritura de hasta 2.800 MB/s, todo ello prometiendo una reducción del consumo energético del 46 por ciento (6 MB/s por cada mA consumido), lo que permitirá aumentar la autonomía de los smartphones de alta gama, y alcanzando capacidades de almacenamiento máximas de 1 TB.

"La tecnología UFS 4.0 de Samsung implementa la más reciente especificación del estándar JEDEC y mejora nuestra variada cartera. Nuestras soluciones de almacenamiento móvil UFS diferencian tecnologías clave en el diseño de controladores para mejorar el rendimiento y la eficiencia energética.

Mediante la colaboración con fabricantes de smartphones y dispositivos de consumo de todo el mundo, estamos trabajando intensamente para fomentar un ecosistema para UFS 4.0 que impulse el mercado de soluciones de almacenamiento móvil de alto rendimiento".