Samsung finalizaría el desarrollo de sus chips de memoria DRAM a 11nm en Junio

Si bien hace unos días conocíamos que Samsung habría abandonado su intento de desarrollar chips de memorias a 13nm, ahora conocemos que al menos con sus chips más avanzados la historia es bien distinta, y es que para junio de este año la compañía debería completar el desarrollo de sus chips de memoria DRAM de 6ª Generación a un proceso de fabricación 1c (11nm).

Según un informe de Business Korea, la empresa habría pedido a sus investigadores que detuvieran o saltaran el desarrollo de la DRAM 1b, que es un chipset de 12nm, por lo que parece que la compañía realmente ha abandonado el desarrollo de dos litografías inferiores para la memoria DRAM.

Se cree que con estos movimientos Samsung quería ampliar la brecha tecnológica con sus competidores, entre los que se encuentran SK Hynix y Micron Technology. Además, no es la primera vez que Samsung abandona una etapa de desarrollo de DRAM para pasar a un nivel superior. Anteriormente, renunció a la producción en masa de DRAM de 28nm para centrarse en la producción de DRAM de 25nm.

Los expertos del sector creen que no va a ser una tarea fácil para Samsung producir DRAM de 11nm, ya que requiere tecnologías avanzadas. Sin embargo, Samsung espera encontrar la manera de hacerlo porque está sometida a una enorme presión para desarrollar la DRAM de 1c antes de su finalización, ya que estaba por detrás de sus dos competidores en lo que respecta a la producción en volumen de memoria DRAM.

"Samsung Electronics está presionada para desarrollar una DRAM 1c antes que los demás porque estaba por detrás de sus rivales en la producción en volumen de DRAM 1a (chip de 4ª generación en el rango de 10nm).

Sin embargo, Samsung Electronics ha conseguido producir en masa DRAM 1a más finas que las de sus dos competidores".