Goodram GR4S32G320D8I: Módulos SODIMM DDR4 de 32GB de capacidad

Goodram anunció el lanzamiento de sus nuevos módulos de memoria RAM 'GR4S32G320D8I', los cuales llaman poderosamente la atención al ser módulos SODIMM de gran capacidad, y es que hablamos de integrar 32 GB de memoria RAM DDR4 @ 3200 MHz en un diseño compacto, por lo que está diseñado para añadir grandes dosis de memoria a equipos de muy alto rendimiento y formato compacto como puede ser un sistema Mini-ITX

e incluso en formato pico o nano ITX, equipos embebidos, y un largo etcétera.

La marca polaca de productos de memoria comercial e industrial, Goodram, amplía la oferta de módulos de memoria DDR4 industriales con otro modelo.

La memoria DDR4 SODIMM con el número de referencia GR4S32G320D8I es una memoria con una capacidad de 32GB y una velocidad de 3200MHz, lo que permite utilizarla con éxito en sistemas embebidos con una alta demanda de potencia de cálculo. Tales requerimientos son reportados, entre otros, por las soluciones en la nube, la virtualización y la IA. El factor de forma compacto de los módulos SODIMM permite utilizar una capacidad de RAM excepcionalmente grande (hasta 2 x 32GB) en sistemas basados en las placas base más pequeñas de la familia ITX (nano, pico y micro - ITX).

La DDR4 GR4S32G320D8I está pensada para funcionar en un amplio rango de temperaturas. Esto significa que las memorias están diseñadas para trabajar en aplicaciones expuestas a condiciones ambientales variables entre -40°C y +85°C. El fabricante también ofrece una versión del módulo para el rango de 0 a +85°C.

El funcionamiento estable en un rango de temperatura ampliado es una de las condiciones clave que deben cumplir los modelos seleccionados de memorias DRAM industriales. Además del diseño adecuado del dispositivo, garantizar este criterio requiere un control en el proceso de producción y el producto acabado en un entorno debidamente preparado. Por ello, las memorias industriales, diseñadas para trabajar en un amplio rango de temperaturas, son sometidas a un proceso de aceleración térmica, cuyo objetivo es detectar el mayor número de daños que puedan producirse en el primer periodo de uso. Esto significa que la memoria se somete a un procedimiento en el que se escriben y verifican cientos de TB de datos en la DRAM. Esta prueba permite detectar casi todos los daños localizados en la interfaz o la matriz de las celdas de la memoria.

La solución ofrecida por el fabricante polaco está dedicada, entre otros, a clientes y soluciones en las áreas de TPV, Domótica, IOT, Automoción y Transporte.