Nace la UltraRAM: La combinación de RAM y almacenamiento
Los investigadores de la Universidad de Lancaster (Reino Unido), anunciaron la UltraRAM, una solución unificada que actúa como memoria RAM y almacenamiento, que está casi lista para su producción en masa, a la cual describen como una combinación de "la no volatilidad de una memoria de almacenamiento de datos, como la flash, con la velocidad, eficiencia energética y resistencia de una memoria de trabajo, como la DRAM".
Algunas de las ventajas que aporta la UltraRAM son una mayor integridad de los datos con una durabilidad de al menos 1.000 años, una velocidad de conmutación rápida y una resistencia a los ciclos de programación y borrado "entre cien y mil veces mejor que la flash", además de un rendimiento similar al de la DRAM, pudiéndose adaptar tanto para ordenadores como para dispositivos móviles.
"Estos nuevos resultados confirman las sorprendentes propiedades de UltraRAM, lo que nos permite demostrar su potencial como memoria rápida no volátil y eficiente con alta resistencia", dijo Manus Hayne, el profesor que dirige la investigación.
Los científicos trabajan actualmente para mejorar la calidad, el proceso de fabricación y la escalabilidad de la tecnología UltraRAM con el fin de garantizar unos costes de producción en masa relativamente bajos. Si este tipo de memoria llega a salir al mercado, será sin duda más cara que las soluciones DDR. Su éxito depende de esta prima sobre la memoria tradicional, y básicamente en precio tendría que rondar como las unidades Intel Optane para garantizar un hueco en el mercado.
"Las pruebas de los dispositivos de memoria monocelular fabricados muestran un gran potencial, con dispositivos que demuestran una clara ventana de memoria durante operaciones de programación/borrado de ≤10 ms, lo cual es notablemente rápido para dispositivos de 10 y 20 µm de longitud de puerta. La tensión de programación/borrado de ≈2,5v y la baja capacitancia areal del dispositivo dan como resultado una energía de conmutación por unidad de superficie 100 y 1000 veces menor que la de la DRAM y la flash, de forma respectiva.
Los tiempos de retención extrapolados de más de 1.000 años y las pruebas de resistencia sin degradación de más de 107 ciclos de programación y borrado demuestran que estas memorias son no volátiles y tienen una gran resistencia. Actualmente se está trabajando en la mejora de la calidad epitaxial, el ajuste del proceso de fabricación, la implementación de un diseño de canal normalmente desactivado y la ampliación de los dispositivos".
