JEDEC anuncia oficialmente el estándar HBM3 (High Bandwidth Memory)

La JEDEC Solid State Technology Association anunció en el día de hoy el nuevo estándar de la memoria High Bandwidth Memory (Alto Ancho de Banda) HBM3.

La memoria HBM3 es un enfoque innovador para aumentar la velocidad de procesamiento de datos utilizados en aplicaciones en las que un mayor ancho de banda, un menor consumo de energía y la capacidad por área son esenciales para el éxito de una solución en el mercado, incluyendo el procesamiento de gráficos y la informática y los servidores de alto rendimiento.

Los principales atributos de la nueva memoria HBM3 son:

• Ampliación de la arquitectura probada de HBM2 hacia un ancho de banda aún mayor, duplicando la velocidad de datos por pin de la generación HBM2 y definiendo velocidades de datos de hasta 6,4 Gb/s, equivalentes a 819 GB/s por dispositivo.
• Duplicación del número de canales independientes de 8 (HBM2) a 16; con dos pseudocanales por canal, HBM3 admite prácticamente 32 canales
• Admite stacks de TSV de 4, 8 y 12 alturas, con previsión de una futura ampliación a un stack de TSV de 16 alturas
• Permite una amplia gama de densidades basadas en 8Gb a 32Gb por capa de memoria, abarcando densidades de dispositivo de 4GB (8Gb 4-altos) a 64GB (32Gb 16-altos); se espera que los dispositivos HBM3 de primera generación se basen en una capa de memoria de 16Gb
• En respuesta a la necesidad del mercado de contar con un alto nivel de RAS (fiabilidad, disponibilidad y capacidad de servicio), HBM3 introduce un potente ECC basado en símbolos en el chip, así como información de errores en tiempo real y transparencia.
• Mejora de la eficiencia energética mediante el uso de señalización de baja oscilación (0,4V) en la interfaz del host y un voltaje de funcionamiento más bajo (1,1V)

"Gracias a sus mejores atributos de rendimiento y fiabilidad, HBM3 permitirá crear nuevas aplicaciones que requieran un enorme ancho de banda y capacidad de memoria", dijo Barry Wagner, director de marketing técnico de Nvidia y presidente del subcomité de HBM de JEDEC.

Apoyo de la industria

"HBM3 permitirá a la industria alcanzar umbrales de rendimiento aún más elevados con mayor fiabilidad y menor consumo de energía", afirma Mark Montierth, vicepresidente y director general del área de memoria de alto rendimiento y redes de Micron.

"Al colaborar con los miembros del JEDEC para desarrollar esta especificación, aprovechamos la larga trayectoria de Micron en el suministro de soluciones avanzadas de apilamiento y empaquetado de memoria para optimizar las plataformas informáticas líderes del mercado."

"Con los continuos avances en las aplicaciones de HPC e IA, las demandas de mayor rendimiento y mejor eficiencia energética han crecido más que nunca. Con el actual lanzamiento del estándar JEDEC HBM3, SK hynix se complace en poder ofrecer a nuestros clientes una memoria que tiene el mayor ancho de banda y la mejor eficiencia energética existentes en la actualidad, con una robustez añadida gracias a la adopción de un esquema ECC mejorado", dijo dijo Uksong Kang, Vicepresidente de Planificación de Productos DRAM de SK hynix.

"SK Hynix se enorgullece de formar parte de JEDEC y, por lo tanto, está entusiasmado de poder seguir construyendo un sólido ecosistema HBM junto con nuestros socios de la industria, y de proporcionar valores de ESG y TCO a nuestros clientes"