Intel seguirá rompiendo la Ley de Moore hasta el año 2025
En su incesante búsqueda de la Ley de Moore, Intel está desvelando avances clave en materia de empaquetado, transistores y física cuántica, fundamentales para avanzar y acelerar la informática hasta bien entrada la próxima década.
En el IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2021, Intel ha presentado su camino hacia una mejora de la densidad de interconexión de más de 10 veces en el empaquetado con unión híbrida, una mejora de la superficie de entre el 30% y el 50% en el escalado de los transistores, importantes avances en las nuevas tecnologías de alimentación y memoria, y nuevos conceptos de física que algún día podrían revolucionar la informática.
"En Intel, la investigación y la innovación necesarias para avanzar en la Ley de Moore nunca se detienen. Nuestro Grupo de Investigación de Componentes está compartiendo en el IEDM 2021 los principales avances en investigación para aportar tecnologías revolucionarias de proceso y empaquetado que satisfagan la insaciable demanda de computación potente de la que dependen nuestra industria y nuestra sociedad. Este es el resultado del incansable trabajo de nuestros mejores científicos e ingenieros. Siguen estando a la vanguardia de las innovaciones para continuar la Ley de Moore", dijo Robert Chau, Senior Fellow de Intel y director general de Investigación de Componentes
- Los investigadores de la empresa han esbozado soluciones para los retos de diseño, proceso y montaje de la interconexión de unión híbrida, previendo una mejora de más de 10 veces en la densidad de interconexión en el embalaje. En el evento Intel Accelerated celebrado en julio, Intel anunció sus planes de introducir Foveros Direct, que permite realizar bump pitches de menos de 10 micras, lo que supone un aumento de un orden de magnitud en la densidad de interconexión para el apilamiento 3D. Para que el ecosistema se beneficie de las ventajas del empaquetado avanzado, Intel también pide que se establezcan nuevos estándares industriales y procedimientos de prueba que permitan un ecosistema de chiplets de unión híbrida.
- Mirando más allá de su RibbonFET de compuerta, Intel está dominando la próxima era post-FinFET con un enfoque de apilamiento de transistores múltiples (CMOS) que tiene como objetivo lograr una mejora maximizada del 30% al 50% en el escalado lógico para el avance continuo de la Ley de Moore mediante la colocación de más transistores por milímetro cuadrado.
- Intel también está allanando el camino para el avance de la Ley de Moore en la era del angstrom con una investigación orientada al futuro que muestra cómo se pueden utilizar nuevos materiales de tan sólo unos átomos de grosor para fabricar transistores que superen las limitaciones de los canales de silicio convencionales, lo que permitiría aumentar en millones el número de transistores por área de matriz para una informática cada vez más potente en la próxima década.
- Las tecnologías de alimentación más eficientes avanzan gracias a la primera integración mundial de interruptores de alimentación basados en GaN con CMOS basados en silicio en una oblea de 300 mm. Esto sienta las bases para un suministro de energía de baja pérdida y alta velocidad a las CPU, al tiempo que se reducen los componentes y el espacio de la placa base.
- Otro avance es la capacidad de lectura/escritura de baja latencia de Intel, líder en el sector, que utiliza nuevos materiales ferroeléctricos para una posible tecnología DRAM integrada de próxima generación que puede ofrecer mayores recursos de memoria para hacer frente a la creciente complejidad de las aplicaciones informáticas, desde gaming hasta IA.
- En el IEDM 2021, Intel demostró la primera realización experimental del mundo de un dispositivo lógico magnetoeléctrico de espín-órbita (MESO) a temperatura ambiente, que mostró la posibilidad de fabricar un nuevo tipo de transistor basado en imanes de conmutación a nanoescala.
- Intel e IMEC están avanzando en la investigación de materiales espintrónicos para acercar la investigación de integración de dispositivos a la realización de un dispositivo de espín-órbita totalmente funcional.IEL
- IEL también mostró los flujos de proceso de qubits de 300 mm para la realización de la computación cuántica escalable que es compatible con la fabricación de CMOS e identifica los próximos pasos para la investigación futura.