SK Hynix muestra su memoria HBM3 de 24GB de capacidad @ 6,4 Gbps

SK Hynix mostró su nuevo chip de memoria tope de gama, hablamos del HBM3, el cual es capaz de ofrecer 24 GB de capacidad en un único chip. Esto se consigue comprimiendo 12 chips de memoria DRAM conectados entre sí mediante la interconexión TSV (Through Silicon Via). El resultado es un chip de 24 GB de capacidad con una tasa de transferencia de 6,4 Gbps que acompañará a futuros productos de muy alto rendimiento donde se requiere que la memoria esté junto al SoC en un mismo encapsulado.

Todo ello queda unido a una interfaz de 1024 bits y da como resultado un ancho de banda de hasta 819 GB/s por stack.

De esta forma SK Hynix está a la vanguardia, ya que Samsung sigue trabajando en su variante H-Cube

(Hybrid-Substrate Cube), que promete abaratar notablemente el coste de la memoria HBM. En resumen, las uniones se realizan un 35% menos de bolas de soldadura al usar un sustrato híbrido de interconexión de alta densidad (que es más pequeño y barato que los intercaladores), el cual garantiza un suministro de energía estable y minimiza la pérdida o distorsión de la señal cuando se apilan varios chips lógicos y la memoria HBM.

Básicamente, SK Hynix ha mostrado que sus primeros chips HBM3 ya han salido del laboratorio, pero como era lógico de esperar, no puede anunciar ninguno de los primeros productos que accederán a esta tecnología, pues todos ellos se mantienen en secreto.

vía: ServeTheHome