Los chips de memoria Samsung V7 QLC casi triplican el rendimiento vs. V4 QLC

Los futuros chips de memoria Samsung V7 QLC con un diseño de 4 bits ofrecerá enormes mejoras a nivel de rendimiento.

Fue en 2018 cuando Samsung lanzó por primera vez sus chips de memoria NAND QLC de 4 bits por celda con el Samsung 860 QVO, que se basa en los chips de 4ª Generación (V4) con un diseño de 64 capas. La 5ª Gen (V5) estrenada en los Samsung 870 QVO ofrece un diseño de 96 pisos / capas. La V6, que iba a ofrecer 128 capas, se la han saltado, dando el salto directamente a la V7, que debería llegar en las próximas semanas con un diseño de 176 capas.

Samsung 890 QVO con NAND V7 QLC

Si bien de la V4 a la V5 hubieron mejoras de rendimiento insignificantes, y es que el SSD Samsung 870 QVO ya de por sí sólo ofrecía unas velocidades sostenidas de 160 MB/s en el mejor de los casos, la V7 QLC ofrecerá notables ventajas de rendimiento respecto a la V4, como por ejemplo ofrecer 2,7x veces más rendimiento de escritura y 2,6x veces más rendimiento de lectura,

Respecto a su predecesor, el 870 QVO (V5), la mejora de rendimiento se duplica, por lo que estaríamos hablamos de que sí, aún así seguirán dando vida a SSDs SATA III más lentos que la mayoría de los SSDs TLC al ofrecer unas velocidades en torno a los 320 MB/s (vs +/- 430 MB/s con TLC), pero al menos es un gran progreso para la gama más baja de SSDs en el mercado, tanto que esta memoria se incluiría por primera vez en dispositivos móviles.

vía: Computer Base

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