La memoria DDR6 @ 12800 MHz de Samsung se podría overclockear hasta los 17000 MHz

Durante el Samsung Tech Day 2021, Samsung reveló nuevos detalles en torno al futuro de la memoria DDR6, además de la GDDR6+ y GDDR7 para GPUs, junto a la memoria de alto ancho de banda HBM3. Eso sí, al ser un evento a puerta cerrada, no estaba permitido tomar ninguna imagen, compartir ninguna imagen, captura de pantalla del evento o cualquier información.

Memoria DDR6

Si bien aún la memoria DDR5 acaba de salir y está muy verde en sus primeras etapas, ya Samsung habla de su predecesora, la memoria DDR6, algo curioso cuando la propia JEDEC no ha formalizado su estándar aún. Según se indica, el estándar se fijaría en los 12800 MHz, pero que gracias al overclocking se podrán alcanzar frecuencias de hasta 17000 MHz. Otra mejora respecto a la memoria DDR5, es que tendremos nada menos que cuatro canales por módulo, el doble respecto a DDR5.

Memoria GDDR6+, GDDR7 y HBM3

Samsung también ha revelado información sobre los estándares posteriores a la GDDR6. Al parecer, la empresa está desarrollando un estándar GDDR6+ que ofrece velocidades de hasta 24 Gbps. Esta velocidad es superior a los 18 Gbps que ofrece el actual estándar GDDR6X, que pronto se fabricará con el proceso de fabricación 1z nm de Samsung.

Además, el estándar GDDR7 también está en la hoja de ruta, pero, obviamente, no hay ninguna fecha para su debut. Esta tecnología aumentará el ancho de banda de la memoria a 32 Gbps y contará con una "función de protección contra errores en tiempo real", aunque Samsung no ha querido dar más detalles al respecto.

Para terminar, en el evento también se informó que Samsung comenzará la producción en masa de HBM3 (High-Bandwidth-Memory Gen3) en el segundo trimestre de 2022 (Q2 2022).

vía: Computer Base | Videocardz