Fujitsu lanza su memoria FRAM de 8Mbit con hasta 100 billones de ciclos de lectura/escritura
Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited anunció el lanzamiento de sus chips de memoria FRAM de 8 Mbit de capacidad (MB85R8M2TA), donde su principal punto fuerte es que ofrece una resistencia de 100 billones de ciclos de lectura y escritura, todo ello con una velocidad de acceso un 30% superior y consumiendo un 10% menos de energía respecto a los productos convencionales de Fujitsu, por lo que es ideal para reemplazar los chips de memoria SRAM de las máquinas industriales.
"La FRAM es un producto de memoria no volátil con características superiores de alta resistencia de lectura/escritura, operación de velocidad de escritura rápida y bajo consumo de energía, y se ha producido en masa durante más de 20 años. Fujitsu ofrece la FRAM MB85R8M2T de 8 Mbit con interfaz paralela desde junio de 2018. Mientras promocionaba el producto, la empresa escuchó las voces de los requisitos de los clientes, como la resistencia de escritura garantizada de más de 10 billones de ciclos, una velocidad de funcionamiento tan rápida como la SRAM y la compatibilidad del paquete TSOP con la SRAM. Fujitsu se complace ahora en presentar su nuevo producto FRAM de 8 Mbit que satisface estos requisitos, manteniendo la característica única de la FRAM de menor consumo de energía.
La MB85R8M2TA, con una interfaz paralela compatible con SRAM, funciona en un amplio rango de tensión de alimentación, desde 1,8v hasta 3,6v. Es el primer producto que garantiza 100 billones de tiempos de ciclo de lectura/escritura en la familia de productos FRAM de Fujitsu.
Al ser capaz de funcionar hasta 25ns en modo de página rápida, la velocidad de acceso de la nueva FRAM es tan alta como la de la SRAM en la transferencia continua de datos. No sólo consigue una mayor velocidad de funcionamiento, sino también un menor consumo de energía que el producto FRAM convencional de Fujitsu. Esta FRAM tiene una corriente de escritura máxima de 18mA, un 10% menos que el producto actual, y una corriente de espera máxima de 150µA, un 50% menos. Está alojada en un encapsulado TSOP de 44 pines, que es el mismo encapsulado que la FRAM de 4 Mbit de Fujitsu, además de un encapsulado FBGA de 48 pines".
