Samsung revela sus módulos RAM DDR5 de 512GB @ 7200 MHz

Samsung reveló los módulos de memoria RAM más impresionantes que hemos visto hasta la fecha, y es que anunció los primeros módulos RAM DDR5 que ofrecen nada menos que 512 GB de capacidad corriendo a una velocidad de 7200 MHz. Obviamente, estos módulos están destinados para Centros de Datos, pero sí, serán muy caros.

Este hito se ha conseguido mediante la implementación de un diseño de empaquetado de 8 chips de memoria DRAM apilados que a su vez cuenta con 8 TSV (Through-Silicon-Vias). El resultado es una pila de memoria de 1,0 mm de alto y hay un total de 20 pilas en el módulo de memoria que están separadas en dos canales principales. Las pilas de TSV de la DDR5 también reducen el espacio entre las matrices en un 40% mediante una técnica de manipulación de obleas delgadas.

También se han implementado tecnologías clave como la interconexión sin errores para los TSV y una mejor capacidad de refrigeración con una menor impedancia del flujo de aire.

Samsung también anunció mayores velocidades de memoria con DDR5, que en este caso alcanza los 7200 Mbps a un voltaje de 1,1v. Las mejoras generales respectos a la memoria DDR4 incluyen un 40% más de rendimiento, 2,2 veces más de velocidad y el doble de capacidad de memoria, todo ello a 0,92 veces menos voltaje que la RAM DDR4. A esto se le suma un 18% más de eficiencia energética del bus. Esta mayor eficiencia se consigue gracias al PMIC (Power Management In-Chip).

Estos módulos estarán listos para finales de este mismo año, por lo que todos los fabricantes están apostando muy fuerte por la nueva generación de memorias RAM.