SK Hynix inicia la producción en masa de memoria a 10nm EUV (1anm)
SK Hynix anunció en el día de hoy el inicio de la producción en masa de sus nuevos chips de memoria DRAM LPDDR4 de 8 Gigabits (Gb) para dispositivos móviles empleando la cuarta generación del proceso de fabricación de 10 nm bautizado como 1anm.
Esta memoria marca el inicio de la compañía en usar equipamiento EUV para la producción en masa de su memoria, esperando que los primeros terminales que incluyan esta memoria lleguen en los próximos meses. Una de las principales ventajas, es que cada oblea ahora ofrecerá un 25 por ciento más de chips producidos, a lo que se le suma una reducción en el consumo energético de un 20 por ciento.
"SK Hynix espera que la nueva tecnología mejore la productividad y aumente la competitividad de los costes. La empresa espera que la tecnología de 1anm suponga un aumento del 25% en el número de chips DRAM producidos a partir del mismo tamaño de una oblea, en comparación con el anterior nodo de 1znm. SK Hynix prevé que la DRAM de 1anm también contribuirá probablemente a aliviar las condiciones de oferta y demanda de los mercados mundiales tras el aumento de la demanda de DRAM en todo el mundo.
El nuevo producto funciona de forma estable a 4266 Mbps, la tasa de transferencia más rápida en una especificación DRAM móvil LPDDR4 estándar, y ha reducido el consumo de energía en un 20%. Se trata de un logro significativo para SK Hynix, ya que pretende reducir las emisiones de dióxido de carbono como parte de su compromiso con la gestión medioambiental, social y de gobierno (ESG)."
