Los 7nm de Intel superan en densidad a los 3nm de Samsung

Los nanómetros (nm) son el gran reclamo a nivel de marketing de las compañías, y esto hace que algunas fundiciones, como Samsung, tras pulir un proceso de fabricación, por arte de magia en vez de llamarlo "+++" como Intel, básicamente le reducen un número a la litografía, y es por ello que Digitimes ha publicado un informe de investigación actualizado en el que se analiza la densidad del proceso de fabricación de semiconductores como Samsung, TSMC, Intel e IBM, comparando sus procesos de fabricación de 10nm, 7nm, 5nm, 3nm y 2nm para ver quien es la compañía que más maquilla sus datos.

Lo más curioso de todo, es que los 10nm SuperFin de Intel son más densos (106 millones de transistores por mm2) que los 7nm de TSMC o Samsung, esperando que sus 7nm sean ligeramente superiores a los 5nm de TSMC. Ya aquí entramos en terreno pantanoso, y es que si toda la información aportada se cumple, los 5nm de Intel serían más del doble de densos respecto a los de Samsung y casi el doble respecto a los de TSMC, es más, los 5nm de Intel son casi igual de densos que los 2nm de IBM

Si nos metemos en los 3nm, podemos ver como Samsung prácticamente no ofrece una gran mejora respecto a sus 5nm (127 a 170), mientras que TSMC ofrece un gran salto (173 a 290), e Intel seguiría alejándose de sus competidores con mayor velocidad, hasta el punto de que sus 3nm superarían a los 2nm de TSMC (520 vs 490 millones).

Aquí sólo se tiene en cuenta la densidad, no se tiene en cuenta las fechas de lanzamiento, el rendimiento, consumo energético, los costes, y un largo etcétera, pero esto al menos refleja verdades incómodas, como que hasta ahora Samsung es de las peores fundaciones avanzadas del negocio y está teniendo serios problemas para seguir el ritmo de TSMC, y que Intel está invirtiendo mucho dinero en su transición de convertirse una fundición de terceros, y para tener éxito, debe liderar el mercado o al menos estar siempre muy cerca de TSMC.

vía: mydrivers