Intel confirma que renombró toda su hoja de ruta para que sepas lo que compras

El evento de Intel no ha traído ninguna sorpresa debido a la filtración de su hoja de ruta, pudiendo confirmar que la compañía renombró toda su hoja de ruta de procesos de fabricación para que los clientes realmente supieran lo que está comprando.

Las filtraciones ya nos adelantaban esta posibilidad, y es que los 10nm SuperFin ya equivalen a los 7nm de TSMC y Samsung Foundry, mientras que los 10nm Enhanced SuperFin pasan a llamarse a Intel 7 para que los usuarios sepan cual es su homólogo en TSMC y Samsung Foudry. Por otro lado, sus 7nm reales se renombraron a Intel 4 ya que se espera que equivalgan a los 5nm de TSMC o los 3nm de Samsung.

Básicamente la compañía quiere ofrecer una imagen de mayor vanguardia, ya que no queda bonito decir que están en los 10nm mientras que la competencia está en los 5nm, algo que Intel acusa de marketing y que los nanómetros ya no significan nada, pero si la densidad, entonces si nos basamos en esto, la compañía está mucho más por delante de lo que parecía a simple vista.

hoja de ruta litográfica 2021 a 2024

Debido a esto, su proceso de fabricación de 10nm Enhanced Super Fin será renombrado a Intel 7, indicando que ya está produciéndose en masa y que ofrecerá una mejora de rendimiento de hasta un 15 por ciento por vatio consumido respecto a los actuales 10nm SuperFin. Este nodo debutaría con Alder Lake y Sapphire Rapids.

El proceso de fabricación Intel 4 serán los esperados 7nm, los cuales emplearán un diseño EUV que aportarán una mejora de hasta un 20 por ciento de rendimiento extra por vatio consumido y se indica que debutará con los procesadores de consumo Meteor Lake y Granite Rapids para centros de datos.

Procesos de fabricación Intel 7, Intel 4, Intel 3 e Intel 20A

Intel 3 ofrecerá una mejora del 18 por ciento por vatio consumido y dará vida a una extensa gamas de CPUs durante la segunda mitad del año 2023. Por otro lado, tenemos los Intel 20A, que llegarán durante la primera mitad del 2024 conociendo ahora que la A significa angstrom, una unidad métrica de 0,1 del tamaño de un nanómetro. Este nodo introducirá una nueva arquitectura de transistores conocida como RibbonFET y la innovadorade interconexión PowerVia. Este proceso dará vida a unas desconocidas CPUs durante la primera mitad del 2024.

Tecnología Intel RibbonFET y PowerVia

Tecnología de empaquetado Foveros Omni

Foveros Omni marca el inicio de la nueva generación de la tecnología Foveros, proporcionando una flexibilidad sin límites con la tecnología de apilamiento en 3D para la interconexión entre troqueles y los diseños modulares. Foveros Omni permite la desagregación de las matrices, mezclando múltiples matrices superiores con múltiples matrices base a través de nodos de fabricación mixtos. Se espera que esté listo para la fabricación en masada en el año 2023.

Foveros Direct es una unión directa de cobre con cobre para interconexiones de baja resistencia. Foveros Direct permite un paso de bump inferior a 10 micras, lo que supone un aumento de un orden de magnitud en la densidad de interconexión para el apilamiento en 3D, abriendo nuevos conceptos para la partición funcional de la matriz. Foveros Direct es complementario a Foveros Omni y también se espera que esté listo en el año 2023.

Kioxia

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