Huawei habría obtenido una patente para transistores IGBT de las autoridades chinas

Debido al veto de los Estados Unidos, Huawei, y prácticamente cualquier compañía china, ha visto como su desarrollo se ha frenado en seco, y esto ha obligado al Gobierno del país, y a sus principales compañías, a desarrollar su propia tecnología.

Huawei es el máximo exponente del país, y si bien ya se sabe que la compañía se convertirá en un semiconductor con sus propias fundiciones de obleas, ahora se conoce que la compañía habría obtenido la patente para los transistores IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) por medio de las autoridades chinas.

Según informan los medios de comunicación locales de China, Huawei ha reforzado su equipo de I+D dedicado a los componentes de potencia para automóviles y ha obtenido una patente para su serie Si de IGBT de primera generación. Esto tiene sentido, ya que la compañía también se está preparando para entrar en el mercado de los vehículos eléctricos.

También se indica que Huawei ha contratado a varios centenares de empleados de I+D para intensificar el desarrollo de semiconductores de potencia, incluidos los MOSFET, los GaN (semiconductores del III/V de nitruro de Galio) y los componentes de SiC (carburo de silicio), además de los IGBT.

Por si no fuera suficiente, la compañía realizó recientemente una inversión de capital en DongGuan Tian Yu Semiconductor Technology (TYSiC) para seguir ampliando su ecosistema de fabricación de semiconductores de potencia. TYSiC fabrica obleas epitaxiales de SiC de 4 y 6 pulgadas.

vía: Digitimes