El Snapdragon 895 usaría los 4nm de Samsung; el Snapdragon 895+ los 4nm de TSMC

Vuelven los rumores en torno al próximo SoC tope de gama de Qualcomm, el Snapdragon 895. Según el conocido leaker Ice Universe, este SoC hará uso del proceso de fabricación de 4nm de Samsung, mientras que su versión vitaminada, el Snapdragon 895+, se decantará por el proceso de fabricación de 4nm de TSMC, el cual se espera que sea superior en desempeño y consumo energético.

Esto confirma los rumores de que sí, que Qualcomm habría repetido su colaboración con Samsung, con la salvedad de que los 4nm de Samsung Foundry son marketing, pues realmente se trata de su proceso de fabricación de 5nm renombrado. Samsung ha rebautizado la 3ª Generación de su proceso de fabricación de 5nm (5LPA) a 4LPE (1ª Gen 4nm). Obviamente, entre el 5LPA y el 4LPE no hay ninguna diferencia de rendimiento, pero a nivel comercial suena mucho más interesante promocionar los 4 nanómetros que los 5 nanómetros.

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Ya dijimos que esto no cogía a nadie por sorpresa, y más después de haber hecho lo mismo con los chips gráficos Nvidia Ampere (GeForce RTX 30 Series), donde los 8nm de Samsung son unos 10nm optimizados y renombrados, y en este caso concreto la historia se repite por partida doble, ya sea con el Snapdragon 895 o con el propio SoC tope de gama de la compañía, el Samsung Exynos 2200. Es por ello que en términos de nivel de eficiencia Nvidia se ha quedado por detrás de AMD (7nm TSMC) en esta generación de GPUs, por que TSMC es la fundición líder del mercado.

Este sería uno de los motivos de ver a un Snapdragon 895+ con los 4nm de TSMC, ya que hasta ahora estas variantes sólo recibían overclock con los consecuentes problemas de consumo y temperatura, por lo que optar a un silicio mucho más avanzado permitirá no solo aumentar aún más el desempeño, sino que esta mejora de rendimiento se podría conseguir incluso reduciendo el consumo energético del modelo original, aunque aquí podrán optar por esa opción, o por un mayor desempeño manteniendo el consumo.

Kioxia

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