Samsung comienza la producción en masa de su memoria uMCP (LPDDR5 + UFS 3.1)

Samsung ha anunciado la producción en masa de sus primeros multichips de memoria LPDDR5 uMCP, que en resumidas cuentas, combinan en un micho chip la memoria RAM LPDDR5 con la memoria de almacenamiento NAND Flash con el estándar UFS 3.1. Con eso se consigue smartphones más eficientes a nivel de autonomía, mayor capacidad, rendimiento, y promete ser una solución más eficiente que derivaría en una reducción de costes.

LPDDR5 uMCP

Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, ha anunciado hoy que ha comenzado a producir en masa su última solución de memoria para smartphones, el paquete multichip basado en UFS LPDDR5 (uMCP). El uMCP de Samsung integra la DRAM LPDDR5 más rápida con la última memoria NAND Flash UFS 3.1, proporcionando un rendimiento de nivel de buque insignia a una gama mucho más amplia de usuarios de smartphones.

"La nueva LPDDR5 uMCP de Samsung se basa en nuestro rico legado de avances en materia de memoria y conocimientos de empaquetado, lo que permite a los consumidores disfrutar de experiencias ininterrumpidas de streaming, juegos y realidad mixta incluso en dispositivos de nivel inferior", ha declarado Young-soo Sohn, vicepresidente del equipo de planificación de productos de memoria de Samsung Electronics.

"A medida que los dispositivos compatibles con el 5G se generalizan, prevemos que nuestra última innovación en paquetes multichip acelerará la transición del mercado al 5G y más allá, y ayudará a llevar el metaverso a nuestra vida cotidiana mucho más rápido."

Basado en las últimas interfaces DRAM y NAND para móviles, el uMCP de Samsung puede ofrecer una velocidad de vértigo y una gran capacidad de almacenamiento con un consumo muy bajo. Esta combinación permitirá a un mayor número de consumidores sumergirse en numerosas aplicaciones 5G que antes solo estaban disponibles en los modelos emblemáticos de gama alta, como la fotografía avanzada, los juegos con uso intensivo de gráficos y la realidad aumentada (AR).

Estas capacidades de nivel de buque insignia son posibles gracias a una mejora de casi el 50% en el rendimiento de la DRAM (vs LPDDR4X), que pasa de 17 gigabytes por segundo (GB/s) a 25GB/s, y a una duplicación del rendimiento de la memoria NAND Flash, que pasa de 1,5 GB/s a 3 GB/s, con respecto a la anterior solución UFS 2.2.

Kioxia

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