Samsung anuncia que es la primera en desarrollar memoria DRAM DDR5 de 512 GB

Samsung anuncia que es la primera en desarrollar memoria DRAM DDR5 de 512 GB

Samsung Electronics anunció en el día de hoy que ha ampliado su cartera de memorias DRAM DDR5 con el primer módulo DDR5 de 512 GB del sector, y para ello recurrió a la tecnología de fabricación High-K Metal Gate (HKMG). La nueva memoria DDR5, que ofrece más del doble de rendimiento que la DDR4, alcanzando unas velocidades de hasta 7.200 megabits por segundo (Mbps), será capaz de orquestar las cargas de trabajo más extremas y de gran ancho de banda en supercomputación, inteligencia artificial (IA) y aprendizaje automático (ML), así como aplicaciones de análisis de datos.

El proceso HKMG se adoptó por primera vez en la industria con la memoria GDDR6 de Samsung para gráficas en el año 2018. Al ampliar su uso en DDR5, Samsung está consolidando aún más su liderazgo en la tecnología DRAM de próxima generación. Al sustituir el aislante por material HKMG, la memoria DDR5 de Samsung podrá reducir las fugas energéticas y alcanzar nuevas cotas de rendimiento. Es por ello que esta memoria utilizará aproximadamente un 13 por ciento menos de energía, lo que la hace especialmente adecuada para los centros de datos, donde la eficiencia energética es cada vez más crítica.

Samsung DDR5

Para terminar, aprovechando la tecnología Through-Silicon Via (TSV), la memoria DDR5 de Samsung apila ocho capas de chips DRAM de 16Gb para ofrecer una capacidad de 512GB. La tecnología TSV se utilizó por primera vez en la memoria DRAM en 2014, cuando Samsung presentó módulos para servidores con capacidades de hasta 256 GB.

"Samsung es la única empresa de semiconductores con capacidades lógicas y de memoria y con la experiencia necesaria para incorporar la tecnología lógica de vanguardia de HKMG en el desarrollo de productos de memoria", dijo Young-Soo Sohn, Vicepresidente del Grupo de Planificación/Entrenamiento de Memoria DRAM de Samsung Electronics.

"Al llevar este tipo de innovación de procesos a la fabricación de DRAM, podemos ofrecer a nuestros clientes soluciones de memoria de alto rendimiento y, al mismo tiempo, energéticamente eficientes para alimentar los ordenadores necesarios para la investigación médica, los mercados financieros, la conducción autónoma, las ciudades inteligentes y otros ámbitos."

"A medida que la cantidad de datos que hay que mover, almacenar y procesar aumenta exponencialmente, la transición a la memoria DDR5 llega en un punto de inflexión crítico para los centros de datos en la nube, las redes y los despliegues de borde", dijo Carolyn Duran, Vicepresidenta y Directora General de Memoria y Tecnología IO en Intel.

"Los equipos de ingeniería de Intel colaboran estrechamente con líderes de la memoria como Samsung para ofrecer una memoria DDR5 rápida y de bajo consumo, optimizada para el rendimiento y compatible con nuestros próximos procesadores Intel Xeon Scalable, cuyo nombre en código es Sapphire Rapids."

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