Kioxia y Western Digital anuncia su 6ª Gen de chips de memoria 3D NAND Flash de 162 pisos

Kioxia Corporation (antiguamente Toshiba + OCZ) y Western Digital Corp. han anunciado en el día de hoy el desarrollo de su 6ª Generación de chips de memoria 3D NAND Flash que alcanza un diseño de 162 pisos / capas. Esto se traduce que en el mismo espacio se consigue aumentar la densidad (capacidad) de la memoria, y todo ello también con una mejora de rendimiento y disminución del consumo energético.

"A través de nuestra sólida asociación que ha durado dos décadas, Kioxia y Western Digital han creado con éxito capacidades inigualables en la fabricación e I+D", dijo Masaki Momodomi, Director de Tecnología de Kioxia.

"Juntos, producimos más del 30% de los bits de memoria flash del mundo y nos mantenemos firmes en nuestra misión de ofrecer una capacidad, un rendimiento y una fiabilidad excepcional a un coste convincente. Cada uno de nosotros ofrece esta propuesta de valor en una serie de aplicaciones centradas en los datos, desde la electrónica personal hasta los centros de datos, así como en las aplicaciones emergentes habilitadas por las redes 5G, la inteligencia artificial y los sistemas autónomos."

Respecto a la 5ª Generación, se consigue aumentar la densidad en un 10 por cierto con una reducción del tamaño de la matriz del 40 por ciento y todo ello con una mejora de casi un 240% en el rendimiento de aplicaciones

y una mejora del 10% en la latencia de lectura en comparación con la generación anterior. El rendimiento de E/S también mejora en un 66%, lo que permite que la interfaz de nueva generación soporte la necesidad de alcanzar velocidades de transferencia más rápidas.

En general, la nueva tecnología de memoria 3D NAND Flash reduce el coste por bit, así como aumenta los bits fabricados por oblea en un 70 por ciento en comparación con la generación anterior.