Apple patenta un subsistema de memoria híbrida de varios niveles para su próximo SoC

Hoy nos topamos con una patente de Apple que revela cómo se ha modificado el diseño de su procesador M1 para lanzar un sucesor muchísimo más potente, y todo se centra en un nuevo subsistema de memoria híbrida multinivel que combina la memoria DRAM principal del sistema junto a una memoria DRAM que actúa como una memoria caché de gran ancho de banda. La propia Apple lo explica en la patente registrada:

"Con dos tipos de memoria DRAM formando el sistema de memoria, uno de los cuales puede ser optimizado para el ancho de banda y el otro puede ser optimizado para la capacidad, los objetivos de aumento de ancho de banda y aumento de la capacidad pueden ser realizados, en algunas realizaciones para implementar mejoras de eficiencia energética, lo que puede proporcionar una solución de memoria de alta eficiencia energética que también es de alto rendimiento y alto ancho de banda."

La patente de Apple, titulada como "sistema de memoria que tiene memorias combinadas de alta densidad, bajo ancho de banda y de baja densidad, y alto ancho de banda", describe varios SoCs que utilizan una memoria caché DRAM de alto ancho de banda, así como DRAM principal de alta capacidad. La patente se refiere estrictamente a los SoCs, por lo que se supone que todas las DRAM están soldadas al silicio, al igual que los chips de memoria LPDDR4X que Apple utiliza en su SoC M1. La arquitectura descrita en esta misma patente indica que Apple no prevé el uso de módulos de memoria estándar, así que tocará esperar para ver qué está preparando la compañía.

vía: TechPowerUp