SK Hynix anuncia el lanzamiento de los primeros kits de memoria DDR5

SK Hynix anunció que se trata de la primera compañía del mundo en lanzar los primeros kits de memoria DRAM DDR5. Estos módulos llegarán inicialmente a unas velocidades entre los 4800 y 5600 Mbps, y esto significa unas velocidades un 80 por ciento más altas respecto a la memoria DRAM DDR4. En la práctica, esto significa transferir 9 películas Full HD (de 5GB de peso cada una) por segundo mediante el módulo de 5600 Mbps, y todo ello funcionando a un voltaje de 1,1v, lo que se traduce en una reducción del consumo energético de un 20 por ciento respecto a la memoria DDR4.

Otra gran mejora en la memoria DDR5 se esconde en el Error Correcting Code (ECC), que puede corregir por sí mismo incluso errores de nivel de 1 bit. Con el ECC, la fiabilidad de las aplicaciones se incrementará en 20x veces. Por otro lado, estas memorias pueden sumar un total de 256 Gigabytes (GB) de capacidad aplicando la tecnología through-silicon-via (TSV).

"Intel se asoció estrechamente con líderes de la memoria, incluyendo SK Hynix, en el desarrollo de la especificación DDR5, comenzando con los primeros conceptos de arquitectura a través de la estandarización JEDEC", comentó Carolyn Duran, Vicepresidenta del Grupo de Plataformas de Datos de Intel y Gerente General de Tecnologías de Memoria e IO. "Además, trabajamos en colaboración con SK Hynix en el desarrollo del silicio diseñando y probando prototipos para asegurar que la memoria DDR5 cumpla sus objetivos de rendimiento y esté totalmente preparada para nuestros clientes mutuos".

"Dado que SK Hynix ha lanzado la primera memoria DRAM DDR5 del mundo, la compañía podría liderar la tendencia tecnológica futura en el mercado global de DRAM", dijo Jonghoon Oh, Vicepresidente Ejecutivo y Director de Marketing (CMO) de SK Hynix. "SK Hynix se centrará en el mercado de servidores premium de rápido crecimiento, solidificando su posición como empresa líder en DRAM para servidores".