La fundición china SMIC consigue crear su primera oblea con la litografía N+1 (7nm)

La fundición china SMIC consigue crear su primera oblea con la litografía N+1 (7nm)

Tal y como SMIC prometió, durante el cuarto trimestre de este año serían capaces de alcanzar los 7nm, y les ha bastado dos semanas para dar a conocer que ya han sido capaces de alcanzar dicha litografía para el desarrollo de chips económicos, lo que resulta un hito tanto para la compañía como para la industria china de semiconductores, ya que están buscando ponerse al nivel de las fundiciones más importantes del mundo como TSMC, Samsung Foundry o GlobalFoundries.

Oblea de SMIC a 7nm

Por desgracia, este proceso de fabricación conocido como N+1 aún no está listo para su producción en masa, algo que sabíamos que no llegaría hasta el próximo año, pero el problema está en que puede que esta producción en masa nunca llegue a ver la luz debido al veto de los Estados Unidos. Este movimiento amenaza seriamente las previsiones de que SMIC sea la tercera fundición más grande del mundo en el 2021.

Según SMIC, sus 7nm prometen una mejora de rendimiento del 20% respecto a sus 14nm a igualdad de velocidad de reloj o complejidad, o igualar el rendimiento de sus 14nm pero reduciendo el consumo energético en un 57 por ciento. En lo que respecta a la densidad de transistores, aumenta en hasta 2,7x veces.

Este proceso de fabricación es comparable a los 12nm LP+ de GlobalFoundries, a los 8nm LPP de Samsung Foundry o a los 7nm (N7, 7nm no EUV de 1ª Gen) de TSMC. Debido a ello, está enfocado a dispositivos de bajo consumo o coste.

vía: Innosilicon

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