Llega nueva información en torno a los procesadores portátiles Intel Tiger Lake, los cuales se anunciarán el próximo 2 de septiembre.
Hasta entonces, nada mejor que ir conociendo más información, como este proceso de fabricación a 10nm+ incorpora dos tecnologías clave para mejorar el rendimiento del silicio sin la necesidad de aumentar en exceso las frecuencias con el consecuente aumento de consumo y temperaturas, es decir, hacer exactamente todo lo contrario a lo que hemos visto hasta ahora, y esto es posible gracias a la introducción del nuevo transistor SuperFin y el condensador SuperMIM.
Para explicarlo de forma rápida y sencilla, SuperFin es el diseño FinFET rediseñado, un transistor a nanoescala (SuperFin), que promete una mejora de rendimiento comparable a una transición completa a un nuevo proceso de fabricación. No todo se traduce a una mejora de rendimiento, sino también a innovaciones de interconexión y optimización para centros de datos.
Gracias a este rediseño se añade una puerta lógica de mayor tamaño para permitir una mayor corriente de accionamiento, un proceso de puerta mejorado que mejora su movilidad, y una fuente/drenaje mejorado que reduce la resistencia. El SuperFin se verá respaldado a su vez por el SuperMIM, que ofrece un aumento de 5 veces en la capacitancia del MIM (metal-aislante-metal).
Por desgracia, no hay números concretos en torno a la ganancia de eficiencia energética para el proceso de fabricación, pero al menos conocemos promete un "aumento dramático de la frecuencia" con respecto al primer contacto con los 10nm. Un claro ejemplo lo vimos con el Intel Core i3-1115G4 @ 3.00 GHz de frecuencia Base respecto a los 1.20 GHz del Core i3-1005G1 (su predecesor).
vía: Videocardz
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