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SK Hynix comienza la producción en masa de su memoria HBM2E, la más rápida de la industria

SK Hynix anunció en el día de hoy el inicio de la producción en masa a gran escala de de su memoria DRAM de alto rendimiento HBM2E. Esta memoria soporta unas velocidades de transferencia de 460 GB (Gigabytes) por segundo con 1024 I/Os (Entradas/Salidas) basadas en el rendimiento de velocidad de 3,6 Gbps (gigabits por segundo) por pin.

Según indicó la compañía, "es la solución DRAM más rápida de la industria", ya que es capaz de transmitir 124 películas Full HD (de 3,7 GB cada una) por segundo. La densidad es de 16 GB apilando verticalmente ocho chips de 16 Gb a través de la tecnología TSV (Through Silicon Via), que es más del doble respecto a su predecesora, la memoria HBM2.

HBM2E

"La memoria HBM2E tiene características de alta velocidad, alta capacidad y bajo consumo; es una solución de memoria óptima para la próxima generación de sistemas de IA (Inteligencia Artificial), incluyendo el Deep Learning Accelerator y la Computación de Alto Rendimiento, todos los cuales requieren un elevado rendimiento de computación. Además, se espera que se aplique a los superordenadores a exoescala -un sistema de computación de alto rendimiento que puede realizar cálculos un quintillón de veces por segundo- que dirigirá la investigación de la próxima generación de ciencias básicas y aplicadas, como los cambios climáticos, la biomedicina y la exploración espacial".

""SK Hynix ha estado a la vanguardia de la innovación tecnológica que contribuye a la civilización humana con logros que incluyen el primer desarrollo mundial de productos HBM", dijo Jonghoon Oh, Vicepresidente Ejecutivo y Director de Marketing de SK Hynix. "Con la producción en masa a gran escala de la memoria HBM2E, seguiremos reforzando nuestra presencia en el mercado de las memorias de primera calidad y liderando la cuarta revolución industrial".

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