Samsung presenta un nuevo material para la creación de memoria, el Nitruro de Boro Amorfo (a-BN)

Investigadores del Instituto Avanzado de Tecnología de Samsung (SAIT) han revelado el descubrimiento de un nuevo material para la fabricación de memoria NAND y DRAM llamado Nitruro de Boro Amorfo (a-BN) en colaboración con el Instituto Nacional de Ciencia y Tecnología de Ulsan (UNIST) y la Universidad de Cambridge.

El SAIT ha estado trabajando en la investigación y desarrollo de materiales bidimensionales (2D), que son materiales cristalinos con una sola capa de átomos. Concretamente, el instituto ha estado trabajando en la investigación y el desarrollo del grafeno, y ha logrado resultados de investigación innovadores en este ámbito, como el desarrollo de un nuevo transistor de grafeno, así como un novedoso método de producción de grafeno a escala de oblea de gran superficie y monocristal. Además de investigar y desarrollar el grafeno, el SAIT ha estado trabajando para acelerar la comercialización del material.Nitruro de Boro Amorfo a BN Samsung 740x286 0El material recientemente descubierto, llamado Nitruro de Boro Amorfo (a-BN), consiste en átomos de boro y nitrógeno con una estructura de moléculas amorfas. Mientras que el Nitruro de Boro Amorfo se deriva del grafeno blanco, que incluye átomos de boro y nitrógeno dispuestos en una estructura hexagonal, la estructura molecular del a-BN de hecho lo hace singularmente distintivo del grafeno blanco.

El Nitruro de Boro Amorfo tiene la mejor constante dieléctrica ultra baja de su clase, 1,78, con fuertes propiedades eléctricas y mecánicas, y puede utilizarse como material de aislamiento de interconexión para reducir al mínimo las interferencias eléctricas. También se demostró que el material puede crecer en una escala de oblea a una temperatura de sólo 400°C. Así pues, se espera que el Nitruro de Boro Amorfo se aplique ampliamente a los semiconductores como las soluciones de memoria DRAM y NAND, y especialmente en las soluciones de memoria de próxima generación para servidores a gran escala.

"Recientemente, el interés por los materiales 2D y los nuevos materiales derivados de ellos ha ido en aumento. Sin embargo, todavía hay muchos desafíos en la aplicación de los materiales a los procesos de semiconductores existentes", dijo Seongjun Park, Vicepresidente y Jefe del Laboratorio de Materiales Inorgánicos, SAIT. "Continuaremos desarrollando nuevos materiales para liderar el cambio de paradigma de los semiconductores".

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