Samsung presenta un nuevo material para la creación de memoria, el Nitruro de Boro Amorfo (a-BN)
Investigadores del Instituto Avanzado de Tecnología de Samsung (SAIT) han revelado el descubrimiento de un nuevo material para la fabricación de memoria NAND y DRAM llamado Nitruro de Boro Amorfo (a-BN) en colaboración con el Instituto Nacional de Ciencia y Tecnología de Ulsan (UNIST) y la Universidad de Cambridge.
El SAIT ha estado trabajando en la investigación y desarrollo de
materiales bidimensionales (2D), que son materiales cristalinos con
una sola capa de átomos. Concretamente, el instituto ha estado
trabajando en la investigación y el desarrollo del
grafeno, y ha logrado resultados de investigación
innovadores en este ámbito, como el desarrollo de un nuevo
transistor de grafeno, así como un novedoso método de producción de
grafeno a escala de oblea de gran superficie y monocristal. Además
de investigar y desarrollar el grafeno, el SAIT ha estado
trabajando para acelerar la comercialización del material.
El material
recientemente descubierto, llamado Nitruro de Boro
Amorfo (a-BN), consiste en átomos de boro y nitrógeno con
una estructura de moléculas amorfas. Mientras que el Nitruro de
Boro Amorfo se deriva del grafeno blanco, que
incluye átomos de boro y nitrógeno dispuestos en una estructura
hexagonal, la estructura molecular del a-BN de hecho lo hace
singularmente distintivo del grafeno blanco.
El Nitruro de Boro Amorfo tiene la mejor constante dieléctrica ultra baja de su clase, 1,78, con fuertes propiedades eléctricas y mecánicas, y puede utilizarse como material de aislamiento de interconexión para reducir al mínimo las interferencias eléctricas. También se demostró que el material puede crecer en una escala de oblea a una temperatura de sólo 400°C. Así pues, se espera que el Nitruro de Boro Amorfo se aplique ampliamente a los semiconductores como las soluciones de memoria DRAM y NAND, y especialmente en las soluciones de memoria de próxima generación para servidores a gran escala.
"Recientemente, el interés por los materiales 2D y los nuevos materiales derivados de ellos ha ido en aumento. Sin embargo, todavía hay muchos desafíos en la aplicación de los materiales a los procesos de semiconductores existentes", dijo Seongjun Park, Vicepresidente y Jefe del Laboratorio de Materiales Inorgánicos, SAIT. "Continuaremos desarrollando nuevos materiales para liderar el cambio de paradigma de los semiconductores".
